E
12月 1997 顺序 号码: 290245-009
n
flash 电的 碎片-擦掉
2 第二 典型 碎片-擦掉
n
快-脉冲波 程序编制 algorithm
10 µs 典型 字节-程序
4 第二 碎片-程序
n
100,000 擦掉/程序 循环
n
12.0 v ±5% v
PP
n
高-效能 读
90 ns 最大 进入 时间
n
cmos 低 电源 消耗量
10 毫安 典型 起作用的 电流
50 µa 典型 备用物品 电流
0 watts 数据 保持 电源
n
整体的 程序/擦掉 停止 计时器
n
command 寄存器 architecture 为
微处理器/微控制器
兼容 写 接口
n
噪音 免除 特性
±10% v
CC
容忍
最大 获得-向上 免除
通过 epi 处理
n
etox™ nonvolatile flash 技术
非易失存储器-兼容 处理 根基
高-容积 制造
Experience
n
电子元件工业联合会-标准 pinouts
32-管脚 塑料 插件
32-含铅的 plcc
32-含铅的 tsop
(看 包装 规格., 顺序 #231369)
n
扩展 温度 选项
intel’s 28f020 cmos flash 记忆 提供 这 大多数 费用-有效的 和 可依靠的 alternative 为 读/写
随机的 进入 nonvolatile 记忆. 这 28f020 adds 电的 碎片-erasure 和 reprogramming 至 familiar
非易失存储器 技术. 记忆 内容 能 是 rewritten: 在 一个 测试 插座; 在 一个 prom-programmer socket; on-
板 在 subassembly 测试; 在-系统 在 最终 测试;和 在-系统 之后 出售. 这 28f020 增加
记忆 flexibility, 当 contributing 至 时间 和 费用 savings.
这 28f020 是 一个 2048-kilobit nonvolatile 记忆 有组织的 作 262,144 字节 的 第八 位. intel’s 28f020 是
offered 在 32-管脚 塑料 插件, 32-含铅的 plcc, 和 32-lead tsop packages. 管脚 assignments 遵从 至
电子元件工业联合会 standards 为 字节-宽 eproms.
扩展 擦掉 和 程序cycling 能力 是 设计 在 intel’s etox™ (非易失存储器 tunnel oxide)
处理 技术. 先进的 oxide 处理, 一个 优化 tunneling 结构, 和 更小的 electric 地方
联合的 至 扩展 可依靠的cycling 在之外 那 的 传统的 eeproms. 和 这 12.0 v v
PP
供应, 这
28f020 执行 100,000 擦掉 和 程序cycles—well 在里面 这 时间 限制 的 这 快-脉冲波
程序编制 和 快-擦掉 algorithms.
intel’s 28f020 雇用 先进的 cmos 电路系统 为系统 requiring 高-效能 进入 speeds,
低 电源 消耗量, 和 免除 至 噪音. 它的 90 ns 进入 时间 提供 零 wait-状态 效能
为 一个 宽 范围 的 微处理器 和 微控制器. 最大 备用物品 电流 的 100 µa translates
在 电源 savings 当 这 设备 是 deselected. 最终, 这 最高的 程度 的 获得-向上 保护 是
达到 通过 intel’s 唯一的 epi 处理. prevention 的 获得-向上 是 提供 为 压力 向上 至 100 毫安
在 地址 和 数据 管脚, 从 –1 v 至 v
CC
+ 1 v.
和 intel’s etox 处理 技术 根基, 这 28f020 builds 在 年 的 非易失存储器 experience 至 yield 这
最高的 水平 的 质量, 可靠性, 和 费用-成效.
28f020 2048k (256k x 8) cmos
flash 记忆
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