EDE5116ABSE_集成电路资料查询网

ede5104abse, ede5108abse, ede5116abse
数据 薄板  e0323e90 (ver. 9.0)  
2
订货 信息
部分 号码
掩饰
版本
Organization
(words
×
位)
内部的
Banks
速 bin
(cl-trcd-trp)
包装
ede5104abse-5c-e
ede5104abse-4a-e
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×
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µ
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×
8 
ddr2-533 (4-4-4)
ddr2-400 (3-3-3)
ede5116abse-5c-e
ede5116abse-4a-e
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16 
ddr2-533 (4-4-4)
ddr2-400 (3-3-3)
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µ
bga)
部分 号码
elpida 记忆
密度 / bank
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位 organization
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08: x8
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电压, 接口
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消逝 rev.
包装
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µ
bga 和 后面的 覆盖)
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产品 代号
e:  ddr2
类型
d:  大而单一的 设备
e d e 51 04 一个 b se  -  5c - e
环境 代号
e:  含铅的 自由

标　题:
内　容:
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ede5104abse, ede5108abse, ede5116abse 数据薄板 e0323e90 (ver. 9.0) 2 订货信息部分号码掩饰版本 Organization (words × 位) 内部的 Banks 速 bin (cl-trcd-trp) 包装 ede5104abse-5c-e ede5104abse-4a-e b 128m × 4 4 ddr2-533 (4-4-4) ddr2-400 (3-3-3) 64-球 fbga ( µ bga) ede5108abse-5c-e ede5108abse-4a-e 64M × 8 ddr2-533 (4-4-4) ddr2-400 (3-3-3) ede5116abse-5c-e ede5116abse-4a-e 32M × 16 ddr2-533 (4-4-4) ddr2-400 (3-3-3) 84-球 fbga ( µ bga) 部分号码 elpida 记忆密度 / bank 51: 512m /4 banks 位 organization 04: x4 08: x8 16: x16 电压, 接口一个: 1.8v, sstl_18 消逝 rev. 包装 se: fbga ( µ bga 和后面的覆盖) 速 5c: ddr2-533 (4-4-4) 4a: ddr2-400 (3-3-3) 产品代号 e: ddr2 类型 d: 大而单一的设备 e d e 51 04 一个 b se - 5c - e 环境代号 e: 含铅的自由

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