january 2005
2005 仙童 半导体 公司
fds4885c revd(w)
FDS4885C
双
n &放大; p-频道PowerTrench
场效应晶体管
一般 描述
这些 双 n- 和 p-频道 增强 模式
电源 地方 效应 晶体管 是 生产 使用
仙童 半导体’s 先进的 PowerTrench
处理 那 有 被 特别 tailored 至 降低
在-状态 阻抗 和 还 维持 更好的 切换
效能.
这些 设备 是 好 suited 为 低 电压 和
电池 powered 产品 在哪里 低 在-线条 电源
丧失 和 快 切换 是 必需的.
产品
•
同步的 整流器
•
backlight 反相器 平台
特性
•
Q1
: n-频道
7.5a, 40V R
ds(在)
= 22m
Ω
@ v
GS
= 10v
R
ds(在)
= 35m
Ω
@ v
GS
= 7v
•
Q2
: p-频道
–6a, –40v R
ds(在)
= 31m
Ω
@ v
GS
= –10v
R
ds(在)
= 42m
Ω
@ v
GS
= –4.5v
•
快 切换 速
•
高 电源 和 处理 能力 在 一个 widely
使用 表面 挂载 包装
S
D
S
S
所以-8
D
D
D
G
D1
D1
D2
D2
S1
G1
S2
G2
管脚 1
所以-8
4
3
2
1
5
6
7
8
Q1
Q2
绝对 最大 比率
T
一个
= 25°c 除非 否则 指出
标识 参数 Q1 Q2 单位
V
DSS
流-源 电压 40 40 V
V
GSS
门-源 电压
±
20
±
20
V
I
D
流 电流 - 持续的 (便条 1a) 7.5 –6 一个
- 搏动 20 –20
P
D
电源 消耗 为 双 运作 2 W
电源 消耗 为 单独的 运作 (便条 1a) 1.6
(便条 1b)
1
(便条 1c)
0.9
T
J
, t
STG
运行 和 存储 接合面 温度 范围 –55 至 +150
°
C
热的 特性
R
θ
JA
热的 阻抗, 接合面-至-包围的 (便条 1a) 78
°
c/w
R
θ
JC
热的 阻抗, 接合面-至-情况 (便条 1) 40
包装 标记 和 订货 信息
设备 标记 设备 卷轴 大小 录音带 宽度 Quantity
FDS4885C FDS4885C 13” 12mm 2500 单位
FDS4885C
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