首页 | 最新需求 | 最新现货 | IC库存 | 供应商 | IC英文资料库 | IC中文资料库 | IC价格 | 电路图 | 应用资料 | 技术资料
 IC型号:
您现在的位置:首页 >  IC英文资料库 进入手机版 
 
资料编号:323713
 
资料名称:FDS4885C
 
文件大小: 254.75K
   
说明
 
介绍:
Dual N & P-Channel PowerTrench MOSFET
 
 


: 点此下载
  浏览型号FDS4885C的Datasheet PDF文件第1页
1

2
浏览型号FDS4885C的Datasheet PDF文件第3页
3
浏览型号FDS4885C的Datasheet PDF文件第4页
4
浏览型号FDS4885C的Datasheet PDF文件第5页
5
浏览型号FDS4885C的Datasheet PDF文件第6页
6
浏览型号FDS4885C的Datasheet PDF文件第7页
7
浏览型号FDS4885C的Datasheet PDF文件第8页
8
 
本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
fds4885c revd(w)
电的 特性
T
一个
= 25°c 除非 否则 指出
标识 参数 测试 情况 类型 最小值 典型值 最大值 单位
止 特性
BV
DSS
流-源 损坏
电压
V
GS
= 0 v, I
D
= 250
µ
一个
V
GS
= 0 v, I
D
= –250
µ
一个
Q1
Q2
40
–40
V
BVDSS
T
J
损坏 电压
温度 系数
I
D
= 250
µ
一个, 关联 至 25
°
C
I
D
= –250 µa, 关联 至 25
°
C
Q1
Q2
40
–30
mv/
°
C
I
DSS
零 门 电压 流
电流
V
DS
= 32 v, V
GS
= 0 v
V
DS
= –32 v, V
GS
= 0 v
Q1
Q2
1
–1
µ
一个
I
GSSF
门-身体 泄漏, 向前 V
GS
= 20 v, V
DS
= 0 v 所有 100 nA
I
GSSR
门-身体 泄漏, 反转 V
GS
= –20 v, V
DS
= 0 v 所有 –100 nA
在 特性 (便条 2)
V
gs(th)
门 门槛 电压
V
DS
= v
GS
, I
D
= 250
µ
一个
V
DS
= v
GS
, I
D
= –250 µa
Q1
Q2
2
–1
4
–1.6
5
–3
V
Vgs(th)
T
J
门 门槛 电压
温度 系数
I
D
= 250
µ
一个, 关联 至 25
°
C
I
D
= –250 µa, 关联 至 25
°
C
Q1
Q2
–9
5
mv/
°
C
V
GS
= 10 v, I
D
= 7.5 一个
V
GS
= 7 v, I
D
= 6.5 一个
V
GS
= 10 v, i
D
= 7.5 一个, t
J
= 125
°
C
Q1 17
27
26
22
35
36
m
R
ds(在)
静态的 流-源
在-阻抗
V
GS
= –10 v, I
D
= –6 一个
V
GS
= –4.5 v, I
D
= –5.3 一个
V
GS
= –10 v, i
D
= –6 一个, t
J
= 125
°
C
Q2 26
34
37
31
42
47
g
FS
向前跨导 V
DS
= 10 v, I
D
= 7.5 一个
V
DS
= –10 v, I
D
=–6 一个
Q1
Q2
14
19
S
动态 特性
C
iss
输入 电容 Q1
Q2
900
1560
pF
C
oss
输出 电容 Q1
Q2
200
215
pF
C
rss
反转 转移 电容
Q1
V
DS
= 20 v, v
GS
= 0 v, f = 1.0 mhz
Q2
V
DS
= –20 v, v
GS
= 0 v, f = 1.0 mhz
Q1
Q2
100
110
pF
R
G
门 阻抗 V
GS
= 15 mv, f = 1.0 mhz Q1
Q2
2
9
FDS4885C
资料评论区:
点击回复标题作者最后回复时间

标 题:
内 容:
用户名:
手机号:    (*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
      
关于我们 | 联系我们
电    话13410210660             QQ : 84325569   点击这里与集成电路资料查询网联系
联系方式: E-mail:CaiZH01@163.com