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资料编号:323713
 
资料名称:FDS4885C
 
文件大小: 254.75K
   
说明
 
介绍:
Dual N & P-Channel PowerTrench MOSFET
 
 


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fds4885c revd(w)
电的 特性(持续)
T
一个
= 25°c 除非 否则 指出
标识 参数 测试 情况 类型 最小值 典型值 最大值 单位
切换 特性
(便条 2)
t
d(在)
转变-在 延迟 时间 Q1
Q2
26
11
42
20
ns
t
r
转变-在 上升 时间 Q1
Q2
36
14
58
25
ns
t
d(止)
转变-止 延迟 时间 Q1
Q2
45
71
72
114
ns
t
f
转变-止 下降 时间
Q1
V
DD
= 20 v, I
D
= 1 一个,
V
GS
= 10v, R
GEN
= 6
Q2
V
DD
= –20 v, I
D
= –1 一个,
V
GS
= –10v, R
GEN
= 6
Q1
Q2
33
30
53
48
ns
Q
g
总的 门 承担 Q1
Q2
15
29
21
41
nC
Q
gs
门-源 承担 Q1
Q2
5
4
nC
Q
gd
门-流 承担
Q1
V
DS
= 20 v, i
D
= 7.5 一个, v
GS
= 10 v
Q2
V
DS
= –20 v, i
D
= –6 一个,v
GS
= –10 v
Q1
Q2
4.6
5
nC
drain–source 二极管 特性 和 最大 比率
I
S
最大 持续的 流-源 二极管 向前 电流 Q1
Q2
1.3
–1.3
一个
V
SD
流-源 二极管 向前
电压
V
GS
= 0 v, i
S
= 1.3 一个 (便条 2)
V
GS
= 0 v, i
S
= –1.3 一个 (便条 2)
Q1
Q2
0.7
–0.7
1.2
–1.2
V
t
rr
二极管 反转 恢复
时间
Q1
Q2
26
26
nS
Q
rr
二极管 反转 恢复
承担
Q1
I
F
= 7.5 一个,d
如果
/d
t
= 100 一个/µs
Q2
I
F
=6 一个,d
如果
/d
t
= 100 一个/µs
Q1
Q2
18
13
nC
注释:
1.
R
θ
JA
是 这 总 的 这 接合面-至-情况 和 情况-至-包围的 热的 阻抗 在哪里 这 情况 热的 涉及 是 定义 作 这 焊盘 挂载 表面 的
这 流 管脚. r
θ
JC
是 有保证的 用 设计 当 r
θ
CA
是 决定 用 这 用户's 板 设计.
一个) 78°/w 当
挂载 在 一个
0.5 在
2
垫子 的 2 oz
b) 125°/w 当
挂载 在 一个 .02 在
2
垫子 的 2 oz 铜
c) 135°/w 当 挂载 在 一个
最小 垫子.
规模1 : 1 在 letter 大小 paper
2. 脉冲波 测试: 脉冲波 宽度 < 300
µ
s, 职责 循环 < 2.0%
FDS4885C
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