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资料编号:323713
 
资料名称:FDS4885C
 
文件大小: 254.75K
   
说明
 
介绍:
Dual N & P-Channel PowerTrench MOSFET
 
 


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fds4885c revd(w)
典型 特性: q1 (n-频道)
0
4
8
12
16
20
0 0.25 0.5 0.75 1 1.25 1.5
V
DS
, 流 至 源 电压 (v)
I
D
, 流 电流 (一个)
V
GS
= 10v
6.5v
7.0v
8.0v
5.5v
6.0v
0.6
1
1.4
1.8
2.2
2.6
3
3.4
3.8
4.2
0 4 8 12 16 20
I
D
, 流 电流 (一个)
R
ds(在)
, normalized
流-源 在-阻抗
V
GS
= 6.0v
8.0v
6.5v
10V
7.0v
图示 1. 在-区域 特性. 图示 2. 在-阻抗 变化 和
流 电流 和 门 电压.
0.6
0.8
1
1.2
1.4
1.6
1.8
-50 -25 0 25 50 75 100 125 150
T
J
, 接合面 温度 (
o
c)
R
ds(在)
, normalized
流-源 在-阻抗
I
D
= 7.5a
V
GS
= 10v
0.015
0.025
0.035
0.045
0.055
0.065
0.075
5 6 7 8 9 10
V
GS
, 门 至 源 电压 (v)
R
ds(在)
, 在-阻抗 (ohm)
I
D
= 3.8a
T
一个
= 125
o
C
T
一个
= 25
o
C
图示 3. 在-阻抗 变化 和
温度.
图示 4. 在-阻抗 变化 和
门-至-源 电压.
0
5
10
15
20
25
30
35
40
45
50
3 4 5 6 7 8 9
V
GS
, 门 至 源 电压 (v)
I
D
, 流 电流 (一个)
T
一个
= -55
o
C
25
o
C
125
o
C
V
DS
= 5v
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2
V
SD
,
身体 二极管 向前 电压 (v)
I
S
, 反转 流 电流 (一个)
V
GS
= 0v
T
一个
= 125
o
C
25
o
C
-55
o
C
图示 5. 转移 特性. 图示 6. 身体 二极管 向前 电压 变化
和 源 电流 和 温度.
FDS4885C
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