©2002 仙童 半导体 公司 fgh40n6s2d reva4
FGH40N6S2D
包装 标记 和 订货 信息
电的 特性
T
J
= 25
°
c 除非 否则 指出
止 状态 特性
在 状态 特性
动态 特性
切换 特性
热的 特性
设备 标记 设备 包装 录音带 宽度 Quantity
40N6S2D FGH40N6S2D 至-247 n/一个 30
标识 参数 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
BV
CES
集电级 至 发射级 损坏 电压 I
C
= 250
µ
一个, v
GE
= 0 600 - - V
I
CES
集电级 至 发射级 泄漏 电流 V
CE
= 600v T
J
= 25
°
c--250
µ
一个
T
J
= 125
°
c--2.0ma
I
GES
门 至 发射级 泄漏 电流 V
GE
= ± 20v - - ±250 nA
V
ce(sat)
集电级 至 发射级 饱和 电压 I
C
= 20a,
V
GE
= 15v
T
J
= 25
°
c-1.92.7v
T
J
= 125
°
c-1.72.0v
V
EC
二极管 向前 电压 I
EC
= 20a - 2.2 2.6 V
Q
g(在)
门 承担 I
C
= 20a,
V
CE
= 300v
V
GE
= 15v - 35 42 nC
V
GE
= 20v - 45 55 nC
V
ge(th)
门 至 发射级 门槛 电压 I
C
= 250
µ
一个, v
CE
= v
GE
3.5 4.3 5.0 V
V
GEP
门 至 发射级 plateau 电压 I
C
= 20a, v
CE
= 300v - 6.5 8.0 V
SSOA 切换 soa T
J
= 150
°
c, v
GE
= 15v, r
G
= 3
Ω
l = 100
µ
h, v
CE
= 600v
100 - - 一个
t
d(在)i
电流 转变-在 延迟 时间 igbt 和 二极管 在 t
J
= 25
°
c,
I
CE
= 20a,
V
CE
= 390v,
V
GE
= 15v,
R
G
= 3
Ω
l = 200
µ
H
测试 电路 - 图示 26
-8.0- ns
t
rI
电流 上升 时间 - 10 - ns
t
d(止)i
电流 转变-止 延迟 时间 - 35 - ns
t
fI
电流 下降 时间 - 55 - ns
E
ON1
转变-在 活力 (便条 2) - 115 -
µ
J
E
ON2
转变-在 活力 (便条 2) - 200 -
µ
J
E
止
转变-止 活力 (便条 3) - 195 260
µ
J
t
d(在)i
电流 转变-在 延迟 时间 igbt 和 二极管 在 t
J
= 125
°
C
I
CE
= 20a,
V
CE
= 390v,
V
GE
= 15v,
R
G
= 3
Ω
l = 200
µ
H
测试 电路 - 图示 26
-14-ns
t
rI
电流 上升 时间 - 18 - ns
t
d(止)i
电流 转变-止 延迟 时间 - 68 85 ns
t
fI
电流 下降 时间 - 85 105 ns
E
ON1
转变-在 活力 (便条 2) - 115 -
µ
J
E
ON2
转变-在 活力 (便条 2) - 380 450
µ
J
E
止
转变-止 活力 (便条 3) - 375 600
µ
J
t
rr
二极管 反转 恢复 时间 I
EC
= 1a, di
EC
/dt = 200a/
µ
s - 30 35 ns
I
EC
= 20a, di
EC
/dt = 200a/
µ
s - 39 48 ns
R
θ
JC
热的 阻抗 接合面-情况 IGBT - - 0.43
°
c/w
二极管 - - 1.25
°
c/w
便条:
2.
值 为 二 转变-在 丧失 情况 是 显示 为 这 convenience 的 这 电路 设计者. e
ON1
是 这 转变-在 丧失
的 这 igbt 仅有的. e
ON2
是 这 转变-在 丧失 当 一个 典型 二极管 是 使用 在 这 测试 电路 和 这 二极管 是 在 这 一样 t
J
作 这 igbt. 这 二极管 类型 是 指定 在 图示 26.
3.
转变-止 活力 丧失 (e
止
) 是 定义 作 这 integral 的 这 instantaneous 电源 丧失 开始 在 这 trailing 边缘 的
这 输入 脉冲波 和 ending 在 这 要点 在哪里 这 集电级 电流 相等 零 (i
CE
= 0a). 所有 设备 是 测试 每
电子元件工业联合会 标准 非. 24-1 方法 为 度量 的 电源 设备 转变-止 切换 丧失. 这个 测试 方法 produc-
es 这 真实 总的 转变-止 活力 丧失.
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