©2002 仙童 半导体 公司 fgh40n6s2d reva4
FGH40N6S2D
典型 效能 曲线
T
J
= 25
°
c 除非 否则 指出
图示 1. 直流 集电级 电流 vs 情况
温度
图示 2. 最小 切换 safe 运行 范围
图示 3. 运行 频率 vs 集电级 至
发射级 电流
图示 4. 短的 电路 承受 时间
图示 5. 集电级 至 发射级 在-状态 电压 图示 6. 集电级 至 发射级 在-状态 电压
T
C
, 情况 温度 (
o
c)
I
CE
, 直流 集电级 电流 (一个)
50
10
0
20
25 75 100 125 150
90
40
60
30
50
包装 限制
80
70
V
CE
, 集电级 至 发射级 电压 (v)
7000
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
300 400200100 500 600
0
50
75
25
125
T
J
= 150
o
c, r
G
= 3
Ω
, v
GE
= 15v, l = 100
µ
H
100
f
最大值
, 运行 频率 (khz)
1
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
1
100
6010 30
1000
10
T
J
= 125
o
c, r
G
= 3
Ω
, l = 200
µ
h, v
CE
= 390v
f
MAX1
= 0.05 / (t
d(止)i
+ t
d(在)i
)
R
θ
JC
= 0.27
o
c/w, 看 注释
P
C
= 传导 消耗
(职责 因素 = 50%)
f
MAX2
= (p
D
- p
C
) / (e
ON2
+ e
止
)
T
c =
75
o
C
V
GE
= 10v
V
GE
= 15v
V
GE
, 门 至 发射级 电压 (v)
I
SC
, 顶峰 短的 电路 电流 (一个)
t
SC
, 短的 电路 承受 时间 (
µ
s)
91112 15
9
5
300
500
t
SC
I
SC
450
13 14
11
13
7
250
350
400
10 16
3
V
CE
= 390v, r
G
= 3
Ω
, t
J
= 125
o
C
0.0 0.4
V
CE
, 集电级 至 发射级 电压 (v)
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
0
5
10
0.6 1.2 1.4
20
15
40
T
J
= 25
o
C
0.2
25
0.8 1.0
T
J
= 125
o
C
T
J
= 150
o
C
职责 循环 < 0.5%, v
GE
=10V
脉冲波 持续时间 = 250
µ
s
35
30
1.6 1.8 2.0 2.2 2.4
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
V
CE
, 集电级 至 发射级 电压 (v)
职责 循环 < 0.5%, v
GE
=15V
脉冲波 持续时间 = 250
µ
s
T
J
= 150
o
C
T
J
= 25
o
C
T
J
= 125
o
C
0
5
10
20
15
40
25
35
30
0.0 0.4 0.6 1.2 1.40.2 0.8 1.0 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4
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