©2002 仙童 半导体 公司 fgh40n6s2d reva4
FGH40N6S2D
图示 19. 二极管 向前 电流 vs 向前
电压 漏出
图示 20. 恢复 时间 vs 向前 电流
图示 21. 恢复 时间 vs 比率 的 改变 的
电流
图示 22. 贮存 承担 vs 比率 的 改变 的
电流
图示 23. 反转 恢复 softness 因素 vs
比率 的 改变 的 电流
图示 24. 最大 反转 恢复 电流 vs
比率 的 改变 的 电流
典型 效能 曲线
T
J
= 25
°
c 除非 否则 指出
0.5 1.0 1.5 2.5
I
EC
, 向前 电流 (一个)
V
EC
, 向前 电压 (v)
02.0
0
10
25
o
C
125
o
C
50
30
3.53.0
20
25
5
15
35
40
45
脉冲波 持续时间 = 250
µ
s
职责 循环 < 0.5%
t
rr
, 反转 恢复 时间 (ns)
I
EC
, 向前 电流 (一个)
25
o
c t
rr
dI
EC
/dt = 200a/
µ
s, v
CE
= 390v
25
o
c t
b
25
o
c t
一个
125
o
c t
rr
125
o
c t
b
125
o
c t
一个
0
100
150
50
250
200
6 8 10 12 201424 1816
25
o
c t
b
125
o
c t
b
125
o
c t
一个
25
o
c t
一个
I
EC
= 20a, v
CE
= 390v
t
一个
, t
b
, 反转 恢复 时间 (ns)
dI
EC
/dt, 比率 的 改变 的 电流 (一个/
µ
s)
50
0
75
100
150
200
25
1000200 400 900500 700
125
175
300 600 800
Q
rr
, 反转 恢复 承担 (nc)
dI
EC
/dt, 比率 的 改变 的 电流 (一个/
µ
s)
125
o
c, i
EC
= 20a
125
o
c, i
EC
= 10a
25
o
c, i
EC
= 10a
25
o
c, i
EC
= 20a
1000200 400 900500 700300 600 800
300
100
400
500
700
900
200
600
800
V
CE
= 390v
dI
EC
/dt, 电流 比率 的 改变 (一个/
µ
s)
0
4
3
6
5
V
CE
= 390v, t
J
= 125
o
C
s, 反转 恢复 softness 因素
2
1
1000200 400 900500 700300 600 800
I
EC
= 20a
I
EC
= 10a
dI
EC
/dt, 电流 比率 的 改变 (一个/
µ
s)
I
EC
= 20a
I
EC
= 10a
I
RRM
, 最大值 反转 恢复 电流 (一个)
1000200 400 900500 700300 600 800
V
CE
= 390v, t
J
= 125
o
C
12
10
14
6
18
16
8
20
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