©2002 仙童 半导体 公司 fgh40n6s2d reva4
FGH40N6S2D
图示 13. 转移 典型的 图示 14. 门 承担
图示 15. 总的 切换 丧失 vs 情况
温度
图示 16. 总的 切换 丧失 vs 门
阻抗
图示 17. 电容 vs 集电级 至 发射级
Volt一个ge
图示 18. 集电级 至 发射级 在-状态 电压 vs
门 至 发射级 电压
典型 效能 曲线
T
J
= 25
°
c 除非 否则 指出
I
CE
, 集电级 至 发射级 电流 (一个)
0
25
50
5678 12
V
GE
, 门 至 发射级 电压 (v)
9
75
150
175
3
125
100
200
脉冲波 持续时间 = 250
µ
s
职责 循环 < 0.5%, v
CE
= 10v
tj = -55
o
C
tj = 25
o
C
tj = 125
o
C
41110
V
GE
, 门 至 发射级 电压 (v)
Q
G
, 门 承担 (nc)
2
10
0
6
I
g(ref)
= 1ma, r
L
= 15
Ω
V
CE
= 200v
4
8
12
V
CE
= 600v
5 1015200
V
CE
= 400v
14
16
25 30 35
I
CE
= 10a
0
1.2
50 75 100
T
C
, 情况 温度 (
o
c)
1.6
12525 150
2.4
E
总的
, 总的 切换 活力 丧失 (mj)
2.0
I
CE
= 40a
I
CE
= 20a
0.8
0.4
E
总的
= e
ON2
+ e
止
T
J
= 125
o
c, l = 200
µ
h, v
CE
= 390v, v
GE
= 15v
0.1
10 100
R
G
, 门 阻抗 (
Ω
)
1.0 1000
E
总的
, 总的 切换 活力 丧失 (mj)
E
总的
= e
ON2
+ e
止
I
CE
= 10a
I
CE
= 20a
I
CE
= 40a
T
J
= 125
o
c, l = 200
µ
h, v
CE
= 390v, v
GE
= 15v
100
10
1
V
CE
, 集电级 至 发射级 电压 (v)
c, 电容 (nf)
C
RES
02040
0.0
1.0
3.0
2.5
频率 = 1mhz
C
OES
C
IES
60 80 100
0.5
1.5
2.0
V
GE
, 门 至 发射级 电压 (v)
6
1.6
9
2.0
2.8
2.4
8 101112 16
3.2
V
CE
, 集电级 至 发射级 电压 (v)
I
CE
= 40a
脉冲波 持续时间 = 250
µ
s
3.6
7131415
职责 循环 < 0.5%
4.0
I
CE
= 10a
I
CE
= 20a
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