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资料编号:359449
 
资料名称:GT60M323
 
文件大小: 193.03K
   
说明
 
介绍:
TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT
 
 


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GT60M323
2004-07-06
2
电的 特性
(ta
=
25°c)
特性 标识 测试 情况 最小值 典型值 最大值 单位
门 泄漏 电流 I
GES
V
GE
= ±25 v, v
CE
= 0
±500 na
集电级 截-止 电流 I
CES
V
CE
= 900 v, v
GE
= 0
0.1 毫安
门-发射级 截-止 电压 V
ge (止)
I
C
= 60 毫安, v
CE
= 5 v 4.0
7.0 V
集电级-发射级 饱和 电压 V
ce (sat)
I
C
= 60 一个, v
GE
= 15 v
2.3 2.8 V
输入 电容 C
ies
V
CE
= 10 v, v
GE
= 0, f = 1 mhz
4200
pF
上升 时间
t
r
0.25
转变-在 时间 t
0.37
下降 时间 t
f
0.09 0.20
切换 时间
转变-止 时间 t
resistive 加载
V
CC
= 600 v, i
C
= 60 一个
V
GG
= ±15 v, r
G
= 51
(便条 1)
0.40
µs
二极管 向前 电压 V
F
I
F
= 15 一个, v
GE
= 0
1.1 1.9 V
反转 恢复 时间 t
rr
I
F
= 60 一个, di/dt =
20 一个/µs
1.4 3.0
µ
s
便条 1: 切换 时间 度量 电路 和 输入/输出 波形
10%
90%
V
GE
V
CE
I
C
t
d (止)
t
t
r
t
0
0
t
f
10% 10%
90% 90%
R
G
V
CC
R
L
0
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