GT60M323
2004-07-06
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toshiba insulated 门 双极 晶体管 硅 n 频道 igbt
GT60M323
电压 resonance 反相器 切换 应用
•
增强 模式 类型
•
高 速 : t
f
=
0.09 µs (典型值.) (i
C
= 60 一个)
•
低 饱和 电压 : v
ce (sat)
= 2.3 v (典型值.) (i
C
= 60 一个)
•
frd 包含 在 发射级 和 集电级
•
至-3p(lh) (toshiba 包装 名字)
最大 比率
(ta
=
25°c)
特性 标识 比率 单位
集电级-发射级 电压 V
CES
900 v
门-发射级 电压 V
GES
±25 v
@ tc
=
100°C 31
持续的 集电级
电流
@ tc
=
25°C
I
C
60
一个
搏动 集电级 电流 I
CP
120 一个
直流 i
F
15
二极管 向前 电流
搏动 i
FP
120
一个
@ tc
=
100°C 80
集电级 电源
消耗
@ tc
=
25°C
P
C
200
W
接合面 温度 T
j
150 °c
存储 温度 范围 T
stg
−
55 至 150 °C
热的 特性
特性 标识 最大值 单位
热的 阻抗 (igbt) R
th (j-c)
0.625 °c/w
热的 阻抗 (二极管) R
th (j-c)
4.0 °c/w
相等的 电路 标记
单位: mm
电子元件工业联合会
―
JEITA
―
toshiba 2-21f2c
重量: 9.75 g (典型值.)
门
发射级
集电级
GT60M323
TOSHIBA
日本
lot 非.
一个 线条 indicates
含铅的 (铅)-自由 包装 或者
含铅的 (铅)-自由 完成.
部分 非. (或者 abbreviation 代号)
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