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GT60M323
2004-07-06
4
集电级 电流  I
C
(一个)
门-发射级 电压  v
GE
(v)
门 承担  Q
G
(nc)
V
CE
, v
GE
– q
G
集电级-发射级 电压  V
CE
(v)
门 阻抗  r
G
(
Ω
)
切换 时间 – r
G
切换 时间  (
µ
s)
集电级 电流  i
C
(一个)
切换 时间 – i
C
切换 时间  (
µ
s)
电容  c  (pf)
集电级-发射级 电压  v
CE
(v)
 c – v
CE
集电级- 发射级 电压  V
CE
(v)
safe 运行 范围
集电级-发射级 电压  v
CE
(v)
反转 偏差 soa
集电级 电流  I
C
(一个)
V
CE
=
150 v
0
0 60 120 180 240
50
100
150
200
100 50
0
5
10
15
20
一般 发射级
R
L
=
2.5
Ω
Tc 
=
25°C
C
res
10
1 10 100 1000 10000
100
1000
10000
C
oes
C
ies
一般
发射级
V
GE
=
0
f
=
1 mhz
Tc 
=
25°C
0.01
1 10 100 1000
0.1
1
10
t
在
t
止
t
r
t
f
一般 发射级
V
CC
=
600 v
I
C
=
60 一个
V
GG
=
±
15
V
Tc 
=
25°C
0.01
010 50 70
0.1
1
10
t
止
t
在
t
f
t
r
20 30 40 60
一般 发射级
V
CC
=
600 v
R
G
=
51
Ω
V
GG
=
±
15
V
Tc 
=
25°C
1
1 10 100 1000 10000
10
100
1000
10
µ
s
*
1 ms
*
100
µ
s
*
10 ms
*
I
C
最大值
(搏动)
*
I
C
最大值
(持续的)
直流
运作
*
单独的 非-repetitive
脉冲波 tc
=
25°C
曲线 必须 是 derated
成直线地 和 增加 在
温度.
1
1 10 100 1000 10000
10
100
1000
T
j
<
=
125°C
V
GG
= 20 v
R
G
=
10
Ω

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GT60M323 2004-07-06 4 集电级电流 I C (一个) 门-发射级电压 v GE (v) 门承担 Q G (nc) V CE , v GE – q G 集电级-发射级电压 V CE (v) 门阻抗 r G ( Ω ) 切换时间 – r G 切换时间 ( µ s) 集电级电流 i C (一个) 切换时间 – i C 切换时间 ( µ s) 电容 c (pf) 集电级-发射级电压 v CE (v) c – v CE 集电级- 发射级电压 V CE (v) safe 运行范围集电级-发射级电压 v CE (v) 反转偏差 soa 集电级电流 I C (一个) V CE = 150 v 0 0 60 120 180 240 50 100 150 200 100 50 0 5 10 15 20 一般发射级 R L = 2.5 Ω Tc = 25°C C res 10 1 10 100 1000 10000 100 1000 10000 C oes C ies 一般发射级 V GE = 0 f = 1 mhz Tc = 25°C 0.01 1 10 100 1000 0.1 1 10 t 在 t 止 t r t f 一般发射级 V CC = 600 v I C = 60 一个 V GG = ± 15 V Tc = 25°C 0.01 010 50 70 0.1 1 10 t 止 t 在 t f t r 20 30 40 60 一般发射级 V CC = 600 v R G = 51 Ω V GG = ± 15 V Tc = 25°C 1 1 10 100 1000 10000 10 100 1000 10 µ s * 1 ms * 100 µ s * 10 ms * I C 最大值 (搏动) * I C 最大值 (持续的) 直流运作 * 单独的非-repetitive 脉冲波 tc = 25°C 曲线必须是 derated 成直线地和增加在温度. 1 1 10 100 1000 10000 10 100 1000 T j < = 125°C V GG = 20 v R G = 10 Ω

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