关于我们
收藏本站
首页
|
最新需求
|
最新现货
|
IC库存
|
供应商
|
IC英文资料库
|
IC中文资料库
|
IC价格
|
电路图 |
应用资料
|
技术资料
IC型号:
您现在的位置:首页 > IC英文资料库
进入
手机版
资料编号:359449
资料名称:
GT60M323
文件大小: 193.03K
说明
:
介绍
:
TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT
: 点此下载
1
2
3
4
5
6
本平台电子爱好着纯手工中文简译:
截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
GT60M323
2004-07-06
5
情况 温度
Tc
(°c)
I
C
最大值 – tc
最大 直流 集电级 电流
I
C
最大值 (一个)
脉冲波 宽度 t
w
(s)
向前 电压 v
F
(v)
I
F
– v
F
向前 电流 i
F
(一个)
顶峰 反转 恢复 电流
I
rr
(一个)
向前 电流
I
F
(一个)
t
rr
, i
rr
– i
F
R
th (t)
– t
w
瞬时 热的 阻抗
R
th (t)
(°c/w)
反转 恢复 时间 t
rr
(
µ
s)
顶峰 反转 恢复 电流
I
rr
(一个)
di/dt (一个/
µ
s)
t
rr
, i
rr
– di/dt
反转 恢复 时间 t
rr
(
µ
s)
0
25 50
100 125 150
30
50
70
40
60
10
20
75
一般 发射级
V
GE
=
15 v
10
−
2
10
−
5
10
−
4
10
−
1
10
0
10
2
10
0
10
1
10
2
Tc
=
25°C
10
−
1
10
−
2
10
−
3
10
1
二极管 平台
igbt 平台
0
0
0.4
1.6 2.0 2.4
60
80
100
40
1.2
0.8
−
40
25
Tc
=
125°C
20
一般
集电级
0.8
020
80
1.2
1.4
1.6
1.0
60 40
t
rr
I
rr
10
14
16
18
12
一般 集电级
di/dt
=
−
20 一个/
µ
s
Tc
=
25°C
0.0
0 40
180
0.8
1.2
1.6
0.4
160 80
t
rr
I
rr
0
40
60
80
20
120
一般 集电级
I
F
=
60 一个
Tc
=
25°C
资料评论区
:
点击
回复
标题
作者
最后回复时间
标 题:
内 容:
用户名:
手机号:
(*未登录用户需填写手机号,手机号不公开,可用于网站积分.)
关于我们
|
联系我们
电 话
:
13410210660
QQ :
84325569
联系方式:
E-mail:CaiZH01@163.com