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资料编号:359449
 
资料名称:GT60M323
 
文件大小: 193.03K
   
说明
 
介绍:
TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT
 
 


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GT60M323
2004-07-06
5
情况 温度
Tc
(°c)
I
C
最大值 – tc
最大 直流 集电级 电流 I
C
最大值 (一个)
脉冲波 宽度 t
w
(s)
向前 电压 v
F
(v)
I
F
– v
F
向前 电流 i
F
(一个)
顶峰 反转 恢复 电流 I
rr
(一个)
向前 电流 I
F
(一个)
t
rr
, i
rr
– i
F
R
th (t)
– t
w
瞬时 热的 阻抗 R
th (t)
(°c/w)
反转 恢复 时间 t
rr
(
µ
s)
顶峰 反转 恢复 电流 I
rr
(一个)
di/dt (一个/
µ
s)
t
rr
, i
rr
– di/dt
反转 恢复 时间 t
rr
(
µ
s)
0
25 50 100 125 150
30
50
70
40
60
10
20
75
一般 发射级
V
GE
=
15 v
10
2
10
5
10
4
10
1
10
0
10
2
10
0
10
1
10
2
Tc
=
25°C
10
1
10
2
10
3
10
1
二极管 平台
igbt 平台
0
0 0.4 1.6 2.0 2.4
60
80
100
40
1.20.8
40
25
Tc
=
125°C
20
一般
集电级
0.8
020 80
1.2
1.4
1.6
1.0
60 40
t
rr
I
rr
10
14
16
18
12
一般 集电级
di/dt
=
20 一个/
µ
s
Tc
=
25°C
0.0
0 40 180
0.8
1.2
1.6
0.4
160 80
t
rr
I
rr
0
40
60
80
20
120
一般 集电级
I
F
=
60 一个
Tc
=
25°C
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