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应用
高 速 电源 切换
特性
• 高 速 切换
• 低 在 饱和 电压
表格 1   绝对 最大 比率
(ta = 25°c)
Item 标识 比率 单位
———————————————————————————————————————————
集电级 至 发射级 电压 V
CES
600 V
———————————————————————————————————————————
门 至 发射级 电压 V
GES
±20 V
———————————————————————————————————————————
集电级 电流 I
C
36 一个
———————————————————————————————————————————
集电级 顶峰 电流 ic(顶峰) 60 一个
———————————————————————————————————————————
集电级 消耗 P
C
* 100 W
———————————————————————————————————————————
频道 温度 T
j
150 °C
———————————————————————————————————————————
存储 温度 Tstg –55 至 +150 °C
———————————————————————————————————————————
*  值 在 tc = 25°c
1. 门
2. 集电级
3. 发射级
TO–3P
1
2
3
1
2
3
1
2SH20
硅 n-频道 igbt
1st. 版本
二月. 1995
ade–208–293 (z)

标　题:
内　容:
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应用高速电源切换特性 • 高速切换 • 低在饱和电压表格 1 绝对最大比率 (ta = 25°c) Item 标识比率单位 ——————————————————————————————————————————— 集电级至发射级电压 V CES 600 V ——————————————————————————————————————————— 门至发射级电压 V GES ±20 V ——————————————————————————————————————————— 集电级电流 I C 36 一个 ——————————————————————————————————————————— 集电级顶峰电流 ic(顶峰) 60 一个 ——————————————————————————————————————————— 集电级消耗 P C * 100 W ——————————————————————————————————————————— 频道温度 T j 150 °C ——————————————————————————————————————————— 存储温度 Tstg –55 至 +150 °C ——————————————————————————————————————————— * 值在 tc = 25°c 1. 门 2. 集电级 3. 发射级 TO–3P 1 2 3 1 2 3 1 2SH20 硅 n-频道 igbt 1st. 版本二月. 1995 ade–208–293 (z)

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