2SH20_集成电路资料查询网

100
80
60
40
20
集电级 电流    i     (一个)
C
048121620
门 至 发射级 电压    v        (v)
GE
tc = –25 °c
25 °c
75 °c
脉冲波 测试
v      = 10 v
CE
典型 转移 特性
50
20
10
5
2
1
0.5
12 51020 50
集电级 电流    i     (一个)
C
集电级 至 发射级 饱和 电压
v                (v)
ce(sat)
–25 °c
25 °c
tc =75 °c
脉冲波 测试
v      = 15 v
GE
100
集电级 至 发射级 饱和 电压
vs. 集电级 电流
10000
1000
100
100
0 1020304050
集电级 至 发射级 电压    v      (v)
CE
电容    c   (pf)
Cies
Coes
Cres
v      = 0
f = 1 mhz
GE
典型 capacitnace vs.
集电级 至 发射级 电压
10
8
6
4
2
集电级 至 发射级 饱和 电压
ce(sat)
048121620
门 至 发射级 电压    v        (v)
GE
i    = 30 一个
20 一个
10 一个
v               (v)
C
脉冲波 测试
集电级 至 发射级 饱和 电压
vs. 门 至 发射级 电压
4
2SH20

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100 80 60 40 20 集电级电流 i (一个) C 048121620 门至发射级电压 v (v) GE tc = –25 °c 25 °c 75 °c 脉冲波测试 v = 10 v CE 典型转移特性 50 20 10 5 2 1 0.5 12 51020 50 集电级电流 i (一个) C 集电级至发射级饱和电压 v (v) ce(sat) –25 °c 25 °c tc =75 °c 脉冲波测试 v = 15 v GE 100 集电级至发射级饱和电压 vs. 集电级电流 10000 1000 100 100 0 1020304050 集电级至发射级电压 v (v) CE 电容 c (pf) Cies Coes Cres v = 0 f = 1 mhz GE 典型 capacitnace vs. 集电级至发射级电压 10 8 6 4 2 集电级至发射级饱和电压 ce(sat) 048121620 门至发射级电压 v (v) GE i = 30 一个 20 一个 10 一个 v (v) C 脉冲波测试集电级至发射级饱和电压 vs. 门至发射级电压 4 2SH20

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