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资料编号:39273
 
资料名称:2SH20
 
文件大小: 43.72K
   
说明
 
介绍:
Silicon N-Channel IGBT
 
 


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表格 2 电的 特性
(ta = 25°c)
Item 标识 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况
———————————————————————————————————————————
集电级 至 发射级 损坏 V
(br)ces
600 V I
C
= 100 µa, v
GE
= 0
电压
———————————————————————————————————————————
零 门 电压 集电级 I
CES
0.5 毫安 V
CE
= 600 v, v
GE
= 0
电流
———————————————————————————————————————————
门 至 发射级 leak 电流 I
GES
——±1µAV
GE
= ±20 v, v
CE
= 0
———————————————————————————————————————————
门 至 发射级 截止 电流 V
ge(止)
3.0 6.0 V I
C
= 1 毫安, v
CE
= 10 v
———————————————————————————————————————————
集电级 至 发射级 饱和 V
ce(sat)
1 1.5 V I
C
= 15 一个, v
GE
= 15 v
电压
———————————————————————————————————————————
集电级 至 发射级 饱和 V
ce(sat)
2 2.0 2.6** V I
C
= 30 一个, v
GE
= 15 v
电压
———————————————————————————————————————————
输入 电容 Cies 2600 pF V
CE
= 10 v, v
GE
= 0,
f = 1 mhz
———————————————————————————————————————————
切换 时间 t
r
160 — ns I
C
= 30 一个,
————————————————
t
300 R
L
= 10
,
————————————————
t
f
2000 V
GE
= ±15 v
————————————————
t
2500 rg = 50
———————————————————————————————————————————
**V
ce(sat)
2 是 指定 在 这 correlated 测试 情况 (i
C
=20a)
2
2SH20
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