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资料编号:39273
 
资料名称:2SH20
 
文件大小: 43.72K
   
说明
 
介绍:
Silicon N-Channel IGBT
 
 


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500
400
300
200
100
0 40 80 120 160 200
门 承担 qg (nc)
集电级 至 发射级 电压 v (v)
CE
20
16
12
8
4
0
门 至 发射级 电压 v (v)
GE
v = 400 v
300 v
200 v
CC
V
CE
V
GE
i = 30 一个
C
v = 400 v
300 v
200 v
CC
动态 输入 特性
1000
100
200
500
50
20
2000
5 10 50 100 500
C
L
GE
i = 30 一个
r =10 (v = 300 v)
v = ±15 v
tc = 25 °c
CC
td(在)
tr
td(止)
tf
门 阻抗 rg ( )
切换 时间 t (ns)
切换 特性
1000
500
200
100
50
5000
2000
–25 0 25 50 75 100 125
td(在)
tr
C
L
GE
i = 30 一个
r = 10
v = ±15 v
rg = 50
tf
td(止)
情况 温度 tc (°c)
切换 时间 t (ns)
切换 特性
1000
100
200
500
50
20
2000
1001 5 10 50
v = 300 v
v = ±15 v
rg = 50
tc = 25 °c
CC
GE
tf
td(在)
tr
td(止)
集电级 电流 i (一个)
C
切换 时间 t (ns)
切换 特性
5
2SH20
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