特性
•
在 温度 关闭
•
在 电流 关闭
•
起作用的 clamp
•
低 电流 &放大; 逻辑 水平的 输入
•
e.s.d 保护
IPS022G
双 全部地 保护 电源 场效应晶体管 转变
数据 薄板 非.pd60203
描述
这 ips022g 是 全部地 保护 双 低 一侧SMART
电源 mosfets 各自.它们 特性 在-
电流, 在-温度, 静电释放 protection和 流
至 源 起作用的 clamp.这些 设备 combine 一个
HEXFET
®
电源 场效应晶体管 和 一个 门 驱动器. 它们
提供 全部 保护 和 高 可靠性 必需的 在
harsh 环境. 这 驱动器 准许 短的 转变-
ing 时间 和 提供 效率高的 保护 用 turning
止 这 电源 场效应晶体管 当 这温度 ex-
ceeds 165
o
c 或者 当 这 流 电流 reaches 5a.
这些 设备 重新开始 once 这 输入 是cycled. 这
avalanche 能力 是 significantly 增强 用
这 起作用的 clamp 和 覆盖 大多数 在ductive 加载
demagnetizations.
包装
产品 summary
R
ds(在)
150m
Ω
(最大值)
V
clamp
50V
I
关闭
5A
T
在
/
T
止
1.5
µ
s
8-含铅的 soic
IPS022G
(双)
www.irf.com 1
典型 连接
加载
D
S
控制
在
r 在 序列
(如果 需要)
逻辑 信号
(谈及 至 含铅的 分派 为 准确无误的 管脚 配置)
: 点此下载
