IPS022G
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绝对 最大 比率
绝对 最大 比率 表明 sustained 限制 在之外 这个 损坏 至 这 设备 将 出现. 所有 电压 参数
是 关联 至 源 含铅的. (t
包围的
= 25
o
c 除非 否则 指定). pcb 挂载 使用 这 标准 foot-
打印 和 70
µ
m 铜 厚度.
标识 参数 最小值 最大值 单位 测试 情况
V
ds
最大 流 至 源 电压 — 47
V
在
最大 输入 电压 -0.3 7
I
在, 最大值
最大 在 电流 -10 +10 毫安
I
sd
内容.
二极管 最大值 持续的 电流
(1)
(
∑
lsd mosfets, rth=125
o
c/w) — 1.4
I
sd
搏动
二极管 最大值 搏动 电流
(1)
(为 ea. 场效应晶体管)
—10
P
d 最大 电源 消耗
(1)
(
∑
pd mosfets, rth=125
o
c/w) — 1 W
ESD1 静电的 释放 voltage
(人 身体)
— 4 c=100pf, r=1500
Ω,
ESD2 静电的 释放 电压
(机器 模型)
— 0.5 c=200pf, r=0
Ω,
L=10
µ
H
T
贮存.
最大值 存储 温度 -55
150
T
j
最大值 最大值 接合面 温度 -40
+150
V
一个
kV
(1) 限制 用 接合面 温度 (搏动 电流 限制 也 用 内部的 线路)
标识 参数 最小值 典型值 最大值 单位 测试情况
R
th1
热的 阻抗 和 标准 footprint
(2 mos 在) (2 mosfets 在)
—
100
—
R
th2
热的 阻抗
和 标准 footprint
(1 mos 在) (1 场效应晶体管 在)
— 127 —
R
th3
热的 阻抗 和 1" 正方形的 footprint
(2 mos 在) (2 mosfets 在)
—60—
热的 特性
o
c/w
o
C
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