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资料编号:406244
 
资料名称:IPS022G
 
文件大小: 95.32K
   
说明
 
介绍:
DUAL FULLY PROTECTED POWER MOSFET SWITCH
 
 


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IPS022G
www.irf.com 3
推荐 运行 情况
这些 值 是 给 为 一个 快 设计. 为 运作 外部 这些 情况, 请 咨询 这 应用 注释.
标识 参数 最小值 最大值单位
V
ds
(最大值)
持续的 流 至 源 电压
35
V
IH
高 水平的 输入 电压 4 6
V
IL
低 水平的 输入 电压
0 0.5
I
ds
持续的 流 电流
(
tambient = 85
o
c, 在 = 5v, rth = 100
o
c/w, tj = 85
o
c) 1 一个
R
推荐 电阻 在 序列 和 在 管脚 0.5
5 k
T
r-在 (最大值)
最大值 推荐 上升 时间 为 在 信号 (看 图. 2) 1
µ
S
F
r
-i
sc
(2)
最大值 频率 在 短的 电路 情况 (vcc = 14v) 0 1 kHz
V
(2) 行动 在 高等级的 切换 发生率 是 可能. 看 appl. 注释.
切换 电的 特性
V
cc
= 14v, resistive 加载 = 10
, rinput = 50
Ω,
100
µ
s
脉冲波, t
j
= 25
o
c, (除非 否则 指定).
标识 参数 最小值 典型值 最大值 单位 Test情况
T
转变-在 延迟 时间
0.15
0.5
1
T
r
上升 时间
0.4
0.9
2
T
rf
时间 至 130% 最终 r
ds(在)
2
6
12
T
转变-止 延迟 时间
0.8
2
3.5
T
f
下降 时间
0.5
1.3
2.5
Q
总的 门 承担
3.3
nC V
= 5v
看 图示 2
看 图示 2
µ
s
标识 参数 最小值 典型值 最大值 单位 测试 情况
R
ds(在)
在 状态 阻抗 t
j
= 25
o
C 100 130 150
T
j
= 150
o
C 220 280
I
dss 1
流 至 源 泄漏 电流 0 0.01 25 V
cc
= 14v,
T
j
= 25
o
C
I
dss 2
流 至 源 泄漏 电流 0 0.1 50 V
cc
= 40v,
T
j
= 25
o
C
V
clamp 1
流 至 源 clamp 电压 1
48 54
56
I
d
= 20ma
(看 图.3 &放大; 4)
V
clamp 2
流 至 源 clamp 电压 2 50
56 60
V
clamp
在 至 源 clamp 电压
7 8 9.5
I
= 1 毫安
V
th
在 门槛 电压 1 1.5 2
I
d
=
50ma,
V
ds
= 14v
I
,
-在
在 状态 在 积极的 电流
25 90
200 V
= 5v
I
在, -止
止 状态 在 积极的 电流
50 130
250 V
= 5v
在-电流 triggered
静态的 电的 特性
标准 footprint 70
µ
m 铜 厚度. (t
j
= 25
o
c 除非 否则 指定.)
m
V
= 5v, i
ds
= 1a
I
d
=I
关闭
(看 图.3 &放大; 4)
V
µ
一个
µ
一个
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