修订 1.0
april 2005
K1S3216BCD
- 2 -
U
t
内存
产品 家族
产品 家族 运行 温度 vcc 范围
速
(t
RC
)
电源 消耗
pkg 类型
备用物品
(i
SB1
, 最大值.)
运行
(i
CC2
, 最大值.)
k1s3216bcd-i 工业的(-40~85
°
c) 1.7~2.0v 70/85ns 100
µ
一个 35mA 48-fbga-6.00x8.00
2m x 16 位 页 模式 uni-晶体管 cmos 内存
一般 描述
这 k1s3216bcd 是 fabricated 用 samsung
′
s 先进的
cmos 技术 使用 一个 transi贮存 记忆 cell. 这 设备
支持 4 页 模式 运作, 工业的 温度 范围
和 48 球 碎片 规模 包装 为 用户 flexibility 的 系统
设计. 这 设备 也 支持 深的 电源 向下 模式 为
低 备用物品 电流.
特性
•
处理 技术: cmos
•
organization: 2m x16 位
•
电源 供应 电压: 1.7~2.0v
•
三 状态 输出
•
兼容 和 低 电源 sram
•
支持 4 页 读 模式
•
包装 类型: 48-fbga-6.00x8.00
管脚 描述
1) 保留 为 future 使用
名字 函数 名字 函数
CS
1,cs2 碎片 选择 输入 Vcc 电源
OE
输出 使能 输入 Vss 地面
我们
写 使能 输入 UB upper 字节(i/o
9
~
16
)
一个
0
~A
20
地址 输入 LB 更小的 字节(i/o
1
~
8
)
i/o
1
~i/o
16
数据 输入/输出 DNU
做 不 使用
1)
48-fbga: 顶 视图(球 向下)
LB OE A0 A1 A2 CS2
i/o9 UB A3 A4 CS1 i/o1
i/o10 i/o11 A5 A6 i/o2 i/o3
Vss i/o12 A17 A7 i/o4 Vcc
Vcc i/o13 DNU A16 i/o5 Vss
i/o15 i/o14 A14 A15 i/o6 i/o7
i/o16 A19 A12 A13 我们 i/o8
A18 A8 A9 A10 A11 A20
1 23456
一个
B
C
D
E
F
G
H
samsung electronics co., 有限公司.
reserves 这 正确的 至 改变 products 和 规格 没有 注意
.
函数的 块 图解
clk gen.
行
选择
i/o
1
~i/o
8
数据
内容
数据
内容
数据
内容
i/o
9
~i/o
16
Vcc
Vss
precharge 电路.
记忆 排列
i/o 电路
column 选择
我们
OE
UB
CS1
LB
控制 逻辑
CS2
行
地址
column 地址
: 点此下载
