k4e171611d, k4e151611d
cmos dramk4e171612d, k4e151612d
这个 是 一个 家族 的 1,048,576 x 16 位 扩展 数据 输出 cmos drams. 扩展 数据 输出 模式 提供 高 速 随机的 进入 的
记忆 cells 在里面 这 一样 行, 所以 called hyper 页 模式. 电源 供应 电压 (+5.0v 或者 +3.3v), refresh 循环 (1k ref. 或者 4k
ref.), 进入 时间 (-45, -50或者 -60), 电源 消耗量(正常的 或者 低 电源) 和 包装 类型(soj 或者 tsop-ii) 是 optional 特性
的 这个 家族. 所有 的 这个 家族 有CAS-在之前-RASrefresh,RAS-仅有的 refresh 和 hidden refresh 能力. 此外, 自-
refresh 运作 是 有 在 l-版本. 这个 1mx16 edo 模式 dram 家族 是 fabricated 使用 samsung
′
s 先进的 cmos pro-
cess 至 realize 高 带宽-宽度, 低 电源 消耗量 和 高 可靠性. 它 将 是 使用 作 graphic 记忆 单位 为 microcomputer,
个人的 计算机 和 可携带的 machines.
•
部分 identification
- k4e171611d-j(t)(5v, 4k ref.)
- k4e151611d-j(t)(5v, 1k ref.)
- k4e171612d-j(t)(3.3v, 4k ref.)
- k4e151612d-j(t)(3.3v, 1k ref.)
•扩展 数据 输出 模式 运作
(快 页 模式 和 扩展 数据 输出)
•2CAS字节/文字 读/写 运作
• CAS-在之前-RASrefresh 能力
• RAS-仅有的 和 hidden refresh 能力
• 自-refresh 能力 (l-ver 仅有的)
•ttl(5v)/lvttl(3.3v) 兼容 输入 和 输出
• early 写 或者 输出 使能 控制 写
•电子元件工业联合会 标准 引脚
• 有 在 塑料 soj 400mil 和 tsop(ii) 包装
• 单独的 +5v
±
10% 电源 供应 (5v 产品)
• 单独的 +3.3v
±
0.3v 电源 供应 (3.3v 产品)
控制
Clocks
vbb 发生器
refresh 计时器
refresh 控制
refresh 计数器
行 地址 缓存区
col. 地址 缓存区
行 解码器
column 解码器
更小的
数据 输出
缓存区
RAS
UCAS
LCAS
W
Vcc
Vss
DQ0
至
DQ7
a0-a11
(a0 - a9)*1
a0 - a7
(a0 - a9)*1
记忆 排列
1,048,576 x16
Cells
samsung electronics co., 有限公司.
reserves 这 正确的 至
改变 产品 和 规格 没有 注意.
1m x 16bit cmos 动态 内存 和 扩展 数据 输出
描述
FEATURES
函数的 块 图解
•
refresh 循环
部分
非.
VCC
Refresh
循环
refresh 时期
也不- l-ver
K4E171611D 5V
4K 64ms
128ms
K4E171612D 3.3v
K4E151611D 5V
1K 16ms
K4E151612D 3.3v
•
效能 范围
速
tRAC tCAC tRC tHPC
Remark
-45 45ns 13ns 69ns 16ns 5v/3.3v
-50 50ns 15ns 84ns 20ns 5v/3.3v
-60 60ns 17ns 104ns 25ns 5v/3.3v
•
起作用的 电源 消耗
速
3.3v 5V
4K 1K 4K 1K
-45 360 540 550 825
-50 324 504 495 770
-60 288 468 440 715
单位 : mw
sense 放大器 &放大; i/o
Upper
数据 在
缓存区
Upper
数据 输出
缓存区
更小的
数据 在
缓存区
DQ
8
至
DQ15
OE
便条)*1: 1k refresh
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