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资料编号:477741
 
资料名称:MCR08BT1
 
文件大小: 254.49K
   
说明
 
介绍:
SENSITIVE GATE SILICON CONTROLLED RECTIFIERS
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
mcr08b, mcr08m
http://onsemi.com
3
+ 电流
+ 电压
V
TM
I
DRM
在 v
DRM
I
H
标识 参数
V
DRM
顶峰 repetitive 止 状态 向前 电压
I
DRM
顶峰 向前 blocking 电流
V
RRM
顶峰 repetitive 止 状态 反转 电压
I
RRM
顶峰 反转 blocking 电流
V
TM
顶峰 在 状态 电压
I
H
支持 电流
电压 电流 典型的 的 scr
anode +
在 状态
反转 blocking 区域
(止 状态)
反转 avalanche 区域
anode –
向前 blocking 区域
I
RRM
在 v
RRM
(止 状态)
图示 1. pcb 为 热的 阻抗 和
电源 测试 的 sot-223
0.079
2.0
0.079
2.0
0.059
1.5
0.091
2.3
0.091
2.3
0.472
12.0
0.096
2.44
板 挂载 vertically 在 cinch 8840 边缘 连接器.
板 厚度 = 65 mil., foil 厚度 = 2.5 mil.
材料: g10 fiberglass 根基 环氧的
0.984
25.0
0.244
6.2
0.059
1.5
0.059
1.5
0.096
2.44
0.096
2.44
0.059
1.5
0.059
1.5
0.15
3.8
ǒ
英寸
mm
Ǔ
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