mcr08b, mcr08m
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4
垫子 范围 = 4.0 cm
2
, 50
或者 60 hz halfwave
°
热的 阻抗, ( c/w)
2.00 4.0 6.0 8.0 10
典型
最大
4
1 23
最小
footprint = 0.076 cm
2
设备 挂载 在
图示 1 范围 = l
2
PCB
和
TAB
范围
作
显示
L
L
180
°
110
85
I
t(av)
, 平均 在-状态 电流 (放大器)
0.50.40.30.20.10
50 或者 60 hz halfwave
T
一个
, 最大 容许的
包围的 温度 ( c)
°
110
100
90
80
60
50
70
I
t(av)
, 平均 在-状态 电流 (放大器)
110
100
90
80
60
50
40
30
20
70
图示 2. 在-状态 特性 图示 3. 接合面 至 包围的 热的
阻抗 相比 铜 tab 范围
图示 4. 电流 减额, 最小 垫子 大小
涉及: 包围的 温度
图示 5. 电流 减额, 1.0 cm 正方形的 垫子
涉及: 包围的 温度
foil 范围 (cm
2
)v
T
, instantaneous 在-状态 电压 (伏特)
I
T
, instantaneous 在-状态 电流 (放大器)
I
t(av)
, 平均 在-状态 电流 (放大器)
图示 6. 电流 减额, 2.0 cm 正方形的 垫子
涉及: 包围的 温度
10
1.0
0.1
0.01
4.01.0
110
0.5
0.30.20.10
I
t(av)
, 平均 在-状态 电流 (放大器)
0.5
0.40.30.20.10
0.5
0.40.30.20.10
0
100
90
80
60
50
40
30
20
0.4
70
T
一个
, 最大 容许的
包围的 温度 ( c)
°
直流
T
(tab)
, 最大 容许的
tab 温度 ( c)
°
图示 7. 电流 减额
涉及: anode tab
180
°
α
= 30
°
60
°
90
°
60
°
120
°
60
°
直流
180
°
120
°
1.0 cm
2
foil, 50 或者
60 hz halfwave
直流
2.0 3.0
典型 在 t
J
= 110
°
C
最大值 在 t
J
= 110
°
C
最大值 在 t
J
= 25
°
C
160
140
120
100
60
40
80
120
°
90
°
60
°
90
°
1.0 3.0 5.0 7.0 9.0
150
130
110
90
70
50
30
α
α =
传导
角度
50 或者 60 hz halfwave
α
α =
传导
角度
90
°
α
= 30
°
α
α =
传导
角度
180
°
120
°
α
α =
传导
角度
α
= 30
°
直流
α
= 30
°
θ
JA
R , 接合面 至 包围的
T
一个
, 最大 容许的
包围的 温度 ( c)
°
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