mcr08b, mcr08m
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静态的 dv/dt (v/ s)
µ
支持 电流 (毫安)i ,
H
10000
100
静态的 dv/dt (v/ s)
µ
10,00010 100 1000
1.0
10000
1000
100
10
1.0
0.1
10 100 1000 10,000 100,000
C
GK
, 门-cathode 电容 (nf)
0.1 1.0 10 100
R
GK
, 门-cathode 阻抗 (ohms)
100
1.0
0.1
10001.0
R
GK
, 门-cathode 阻抗 (ohms)
10 100 10,000 100,000
10
图示 14. 支持 电流 范围 相比
门-cathode 阻抗
图示 15. exponential 静态的 dv/dt 相比 接合面
温度 和 门-cathode 末端 阻抗
R
GK
, 门-cathode 阻抗 (ohms)
0.01
I
GT
= 48
µ
一个
T
J
= 25
°
C
I
GT
= 7
µ
一个
静态的 dv/dt (v/ s)
µ
50
°
75
°
125
°
500 v
100 v
静态的 dv/dt (v/ s)
µ
门-cathode 阻抗 (ohms)
100 1000 10,000 100,00010
5000
500
50
5.0
0.5
1000
500
400 v
T
J
= 110
°
C
50 v
50
10
5.0
10000
100
1.0
1000
500
50
10
5.0
T
J
= 110
°
C
400 v (顶峰)
R
GK
= 10 k
R
GK
= 100
R
GK
= 1.0 k
10000
100
1.0
1000
500
50
10
5.0
I
GT
= 5
µ
一个
I
GT
= 70
µ
一个
I
GT
= 35
µ
一个
I
GT
= 15
µ
一个
110
°
T
J
= 25
°
V
pk
= 400 v
200 v
300 v
图示 16. exponential 静态的 dv/dt 相比 顶峰
电压 和 门-cathode 末端 阻抗
图示 17. exponential 静态的 dv/dt 相比
门-cathode 电容 和 阻抗
图示 18. exponential 静态的 dv/dt 相比
门-cathode 末端 阻抗 和
产品 触发 电流 敏锐的
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