MSM518221-30ZS_集成电路资料查询网

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¡ 半导体
MSM518221
块 图解
D
输出
(
¥
8)
数据-输出
缓存区 (
¥
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OE
RE
RSTR SRCK
串行
512 文字 串行 读 寄存器 (
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8)
读 线条 缓存区
低-half (
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8)
读 线条 缓存区
高-half (
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8)
256 (
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8)
256k (
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记忆
排列
X
解码器
71 文字
sub-寄存器 (
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8)
读/写
和 refresh
控制
时钟
振荡器
写 线条 缓存区
低-half (
¥
8)
写 线条 缓存区
高-half (
¥
8)
512 文字 串行 写 寄存器 (
¥
8)
数据-在
缓存区 (
¥
8)
D
在
(
¥
8)
串行
IE 我们 RSTW SWCK
71 文字
sub-寄存器 (
¥
8)
256 (
¥
8)
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¥
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V
BB
发生器
读
控制
写
控制

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4/16 ¡ 半导体 MSM518221 块图解 D 输出 ( ¥ 8) 数据-输出缓存区 ( ¥ 8) OE RE RSTR SRCK 串行 512 文字串行读寄存器 ( ¥ 8) 读线条缓存区低-half ( ¥ 8) 读线条缓存区高-half ( ¥ 8) 256 ( ¥ 8) 256k ( ¥ 8) 记忆排列 X 解码器 71 文字 sub-寄存器 ( ¥ 8) 读/写和 refresh 控制时钟振荡器写线条缓存区低-half ( ¥ 8) 写线条缓存区高-half ( ¥ 8) 512 文字串行写寄存器 ( ¥ 8) 数据-在缓存区 ( ¥ 8) D 在 ( ¥ 8) 串行 IE 我们 RSTW SWCK 71 文字 sub-寄存器 ( ¥ 8) 256 ( ¥ 8) 256 ( ¥ 8) 256 ( ¥ 8) V BB 发生器读控制写控制

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