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¡ 半导体
MSM518221
运作
写 运作
这 写 运作 是 控制 用 三 clocks, swck, rstw, 和 我们. 写 运作 是
accomplished 用 cycling swck, 和 支持 我们 高 之后 这 写 地址 pointer 重置 运作
或者 rstw.
各自 写 运作, 这个 begins 之后 rstw, 必须 包含 在 least 80 起作用的 写 循环, i.e.
swck 循环 当 我们 是 高. 至 转移 这 last 数据 至 这 dram 排列, 这个 在 那 时间
是 贮存 在 这 串行 数据 寄存器 连结 至 这 dram 排列, 一个 rstw 运作 是 必需的
之后 这 last swck 循环.
写 重置 : rstw
这 第一 积极的 转变 的 swck 之后 rstw 变为 高 resets 这 写 地址 counters 至
零. rstw 建制 和 支撑 时间 是 关联 至 这 rising 边缘 的 swck. 因为 这 写 重置
函数 是 solely 控制 用 这 swck rising 边缘 之后 这 高 水平的 的 rstw, 这 states 的 我们
和 ie 是 ignored 在 这 写 重置 循环.
在之前 rstw 将 是 brought 高 又一次 为 一个 更远 重置 运作, 它 必须 是 低 为 在 least 二
swck 循环.
数据 输入 : d
在
0 - 7
写 时钟 : swck
这 swck latches 这 输入 数据 在 碎片 当 我们 是 高, 和 也 increments 这 内部的 写
地址 pointer. 数据-在 建制 时间 t
DS
, 和 支撑 时间 t
DH
是 关联 至 这 rising 边缘 的 swck.
写 使能 : 我们
我们 是 使用 为 数据 写 使能/使不能运转 控制. 我们 高 水平的 使能 这 输入, 和 我们 低 水平的
使不能运转 这 输入 和 holds 这 内部的 写 地址 pointer. 那里 是 非 我们 使不能运转 时间 (低)
和 我们 使能 时间 (高) restrictions, 因为 这 msm518221 是 在 全部地 静态的 运作 作 长
作 这 电源 是 在. 便条 那 我们 建制 和 支撑 时间 是 关联 至 这 rising 边缘 的 swck.
输入 使能 : ie
ie 是 使用 至 使能/使不能运转 writing 在 记忆. ie 高 水平的 使能 writing. 这 内部的 写
地址 pointer 是 总是 incremented 用 cycling swck regardless 的 这 ie 水平的. 便条 那 ie 建制
和 支撑 时间 是 关联 至 这 rising 边缘 的 swck.
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