1/16
¡ 半导体
MSM518221
描述
这 oki msm518221 是 一个 高 效能 2-mbit, 256k
¥
8-位, 地方 记忆. 它 是 设计 为
高-速 串行 进入 产品 此类 作 hdtvs, 常规的 ntsc tvs, vtrs, 数字的 movies
和 multi-媒介 系统. 这 2-mbit capacity 合适的 一个 地方 的 一个 常规的 ntsc tv screen.
各自 的 这 8-位 平面 有 独立的 串行 写 和 读 端口. 这些 雇用 独立 控制
clocks 至 支持 异步的 读 和 写 行动. 不同的 时钟 比率 是 也 supported,
这个 准许 alternate 数据 比率 在 写 和 读 数据 streams.
这 msm518221 提供 高 速 先进先出, 第一-在 第一-输出, 运作 没有 外部 refreshing:
它 refreshes 它的 dram 存储 cells automatically, 所以 那 它 呈现 全部地 静态的 至 这 用户.
moreover, 全部地 静态的 类型 记忆 cells 和 decoders 为 串行 进入 使能 这 refresh 自由 串行
进入 运作, 所以 那 串行 读 和/或者 写 控制 时钟 能 是 halted 高 或者 低 为 任何
持续时间 作 长 作 这 电源 是 在. 内部的 conflicts 的 记忆 进入 和 refreshing 行动
是 阻止 用 特定的 arbitration 逻辑.
这 msm518221's 函数 是 简单的, 和 类似的 至 一个 数字的 延迟 设备 谁的 延迟-位-长度 是
容易地 设置 用 重置 定时. 这 延迟 长度, 和 这 号码 的 读 延迟 clocks 在 写 和
读, 是 决定 用 externally 控制 写 和 读 重置 timings.
额外的 sram 串行 寄存器, 或者 线条 缓存区 为 这 最初的 进入 的 256
¥
8-位 使能 高 速
第一-位-进入 和 非 时钟 延迟 just 之后 这 写 或者 读 重置 timings.
这 msm518221 是 类似的 在 运作 和 符合实际 至 oki 1-mbit 地方 记忆 msm514221b.
它 有 一个 写 掩饰 函数 或者 输入 使能 函数 (ie), 和 读-数据 skipping 函数 或者 输出
使能 函数 (oe). 这 differences 在 写 使能 (我们) 和 输入 使能 (ie), 和 在
读 使能 (re) 和 输出 使能 (oe) 是 那 我们 和 re 能 停止 串行 写/读 地址
increments, 但是 ie 和 oe 不能 停止 这 increment, 当 写/读 clocking 是 continuously
应用 至 msm518221. 这 输入 使能 (ie) 函数 准许 这 用户 至 写 在 选择 locations
的 这 记忆 仅有的, leaving 这 rest 的 这 记忆 内容 不变. 这个 facilitates 数据
处理 至 显示 一个 "picture 在 picture" 在 一个 tv screen.
¡ 半导体
MSM518221
262,214-文字
¥
8-位 地方 记忆
这个 版本: jan. 1998
previous 版本: dec. 1996
e2l0032-17-y1
: 点此下载
