MTD20P06HDL
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motorola tmos 电源 场效应晶体管 晶体管 设备 数据
典型 电的 特性
R
ds(在)
, drain–to–source 阻抗 (ohms)
R
ds(在)
, drain–to–source 阻抗
(normalized)
R
ds(在)
, drain–to–source 阻抗 (ohms)
I
DSS
, 泄漏 (na)
V
DS
, drain–to–source 电压 (伏特)t
J
, 接合面 温度 (
°
c)
I
D
, 流 电流 (放大器) I
D
, 流 电流 (放大器)
V
DS
, drain–to–source 电压 (伏特) V
GS
, gate–to–source 电压 (伏特)
I
D
, 流 电流 (放大器)
I
D
, 流 电流 (放大器)
0 32 51 4
图示 1. on–region 特性 图示 2. 转移 特性
0 10 20 30
图示 3. on–resistance 相比 流 电流
和 温度
图示 4. on–resistance 相比 流 电流
和 门 电压
1
100
图示 5. on–resistance 变化 和
温度
图示 6. drain–to–source 泄漏
电流 相比 电压
1 3 5 6
V
DS
≥
5 v
100
°
C
25
°
C
V
GS
= 5 v
– 55
°
C
25
°
C
0 30
– 50 – 25 0 25 50 75 100 125 150 0 10 20 6040
V
GS
= 0 v
T
J
= 125
°
C
T
J
= 100
°
C
T
J
= 25
°
C
V
GS
= 5 v
V
GS
= 5 v
I
D
= 7.5 一个
2 4
10
5030
V
GS
= 10 v
8 v
4 v
T
J
= 25
°
C
100
°
C
5 15 1525 10 255 20
10 v
30
25
20
15
10
5
0
87 106 9
6 v
7 v
9 v
30
25
20
15
10
5
0
T
J
= – 55
°
C
0.40
0.32
0.24
0.16
0.08
0
0.275
0.250
0.225
0.200
0.175
0.150
0.125
0.100
1.8
1.6
1.4
1.2
1
0.8
0.6
0.4
0.2
0
5 v
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