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资料编号:491866
 
资料名称:MTD20P06HDL
 
文件大小: 308.53K
   
说明
 
介绍:
TMOS POWER FET LOGIC LEVEL 15 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 175 MOHM
 
 


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本平台电子爱好着纯手工中文简译:截至2020/5/17日,支持英文词汇500个
MTD20P06HDL
5
motorola tmos 电源 场效应晶体管 晶体管 设备 数据
Q
G
, 总的 门 承担 (nc) R
G
, 门 阻抗 (ohms)
t, 时间 (ns)
V
DS
, drain–to–source 电压 (伏特)
V
GS
, gate–to–source 电压 (伏特)
图示 8. gate–to–source 和 drain–to–source
电压 相比 总的 承担
1 100
1000
1
100
V
DD
= 30 v
I
D
= 15 一个
V
GS
= 5.0 v
T
J
= 25
°
C
t
r
t
f
t
d(在)
t
d(止)
图示 9. resistive 切换 时间
变化 相比 门 阻抗
0 4 8 16 2412
3
1
0
4
2
6
50
40
35
30
20
25
0
V
GS
I
D
= 15 一个
T
J
= 25
°
C
V
DS
Q3
Q1
45
5
20
QT
Q2
10
10
15
10
5
drain–to–source 二极管 特性
切换 特性 的 一个 场效应晶体管 身体 二极管
非常 重要的 在 系统 使用 它 作 一个 freewheeling 或者
commutating二极管. 的 particular interest 是 这 反转 re-
covery 特性这个 播放 一个 主要的 role 在 determining
切换 losses, radiated 噪音, emi 和 rfi.
系统切换 losses 是 largely 预定的 至 这 nature 的
身体 二极管 它自己. 这身体 二极管 是 一个 minority 运输车 de-
恶行,因此 它 有 一个 finite 反转 恢复 时间,t
rr
, 预定的 至
这 存储 的 minority 运输车 承担, q
RR
, 作 显示 在 这
典型反转 恢复 波 表格 的 图示 12. 它 是 这个
贮存charge that, when cleared from the diode, passes
通过一个 潜在的 和 定义 一个 活力 丧失. obviously,
repeatedlyforcing 这 二极管 通过 反转 恢复 更远
增加switching losses. therefore, one would like 一个
二极管和 短的t
rr
和 低 q
RR
规格 至 降低
这些 losses.
一个bruptness of diode reverse recovery effects the
数量radiated 噪音, 电压 尖刺, 和 电流 环绕-
ing.这 mechanisms 在 工作 是 finite irremovable电路
parasiticinductances 和 capacitances acted 在之上 用
di/dts.这 二极管’s 负的 di/dt 在 t
一个
是 直接地 con-
trolled用 这 设备 clearing 这 贮存 承担.不管怎样,
这 积极的 di/dt 在 t
b
是 一个 uncontrollable 二极管 charac-
teristic和 是 通常地 这 culprit 那induces 电流 ringing.
因此,当 comparing 二极管, 这 比率的 t
b
/t
一个
serves
一个 好的 指示信号 的 恢复 abruptness 和 因此 给 一个
comparative估计 的 probable 噪音 发生. 一个 比率
1是 考虑 完美的 和 值 较少 比0.5 是 考虑
snappy.
对照的至 motorola 标准 cell密度 低 电压
mosfets,high cell density mOSFEt diodes 一个re faster
(shorter t
rr
), 有 较少 贮存 承担 和 一个 softer 反转 re-
covery典型的. 这softness 有利因素 的 这 高
cell密度 二极管 意思 它们 能 是强迫 通过 反转
恢复一个t 一个 higher di/dt than 一个 standard cell mOSFET
二极管没有 增加 这 电流 ringing 或者 这 噪音 gen-
erated.在 增加, 电源 消耗 incurred 从 切换
二极管 将 是 较少 预定的 至 这 shorter 恢复 时间 和
更小的 切换 losses.
I
S
, 源 电流 (放大器)
V
SD
, source–to–drain 电压 (伏特)
0.5 1.5
图示 10. 二极管 向前 电压 相比 电流
1
V
GS
= 0 v
T
J
= 25
°
C
2.51.25 20.75 1.75 2.25
15
12
9
6
3
0
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