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motorola tmos 电源 场效应晶体管 晶体管 设备 数据
设计者's
数据 薄板
HDTMOS e-场效应晶体管
高 密度 电源 场效应晶体管
DPAK 为 表面 挂载
p–channel enhancement–mode 硅 门
这个先进的 high–cell 密度 hdtmos e–fet 是 设计至
承受高 活力 在 这 avalanche 和 commutation模式.
这new energy efficient design 一个lso offers 一个 drain–to–source
二极管w它h 一个 f一个st recovery time. designed for low–voltage,
high–speed切换 产品 在 电源 供应, 转换器
和pwm 发动机 控制, 和 其它 inductive 负载. 这 avalanche
活力能力 是 指定 至 eliminate 这guesswork 在 设计
在哪里inductive 负载 是 切换, 和 至 的fer 额外的安全
余裕 相反 unexpected 电压 过往旅客.
•
过激 低 r
ds(在)
, high–cell 密度, hdtmos
•
二极管 是 典型 为 使用 在 桥 电路
•
I
DSS
和 v
ds(在)
指定 在 提升 温度
•
avalanche 活力 指定
•
表面 挂载 包装 有 在 16 mm, 13–inch/2500
单位, 录音带 &放大; 卷轴, 增加 t4 后缀 至 部分 号码
最大 比率
(t
C
= 25
°
c 除非 否则 指出)
比率 标识 值 单位
drain–source 电压 V
DSS
60 Vdc
drain–gate 电压 (r
GS
= 1.0 m
Ω
) V
DGR
60 Vdc
gate–source 电压 — 持续的
gate–source 电压— non–repetitive (t
p
≤
10 ms)
V
GS
V
GSM
±
15
±
20
Vdc
Vpk
流 电流 — 持续的
流 电流— 持续的 @ 100
°
C
流 电流— 单独的 脉冲波 (t
p
≤
10
µ
s)
I
D
I
D
I
DM
15
9.0
45
模数转换器
Apk
总的 电源 消耗
减额 在之上 25
°
C
总的 电源 消耗 @ t
C
= 25
°
c (1)
P
D
72
0.58
1.75
Watts
w/
°
C
Watts
运行 和 存储 温度 范围 T
J
, t
stg
–55 至 150
°
C
单独的 脉冲波 drain–to–source avalanche 活力 — 开始 t
J
= 25
°
C
(v
DD
= 25 vdc, v
GS
= 5.0 vdc, i
L
= 15 apk, l = 2.7 mh, r
G
= 25
Ω
)
E
作
300 mJ
热的 阻抗 — 接合面 至 情况
热的 阻抗— 接合面 至 包围的
热的 阻抗— 接合面 至 包围的 (1)
R
θ
JC
R
θ
JA
R
θ
JA
1.73
100
71.4
°
c/w
最大 temperature 为 焊接 目的, 1/8
″
从 情况 为 10 秒 T
L
260
°
C
(1) 当 表面 挂载 至 一个 fr4 板 使用 这 最小 推荐 垫子 大小.
设计者’s 数据 为 “worst case” 情况
— 这 设计者’s 数据 薄板 准许 这 设计 的 大多数 电路 全部地 从 这 信息 提交. soa 限制
曲线 — representingboundaries 在 设备 特性 — 是 给 至 facilitate “worst case” 设计.
设计者’s,e–fet 和 hdtmos 是 商标 的 motorola 公司
tmos 是 一个 注册 商标 的 motorola 公司
热的 clad 是 一个 商标 的 这 bergquist 公司.
Preferred
设备 是 motorola 推荐 choices 为 future 使用 和 最好的 整体的 值.
rev 1
顺序 这个 文档
用 mtd20p06hdl/d
MOTOROLA
半导体 技术的 数据
motorola, 公司 1995
D
S
G
MTD20P06HDL
tmos 电源 场效应晶体管
逻辑 水平的
15 amperes
60 伏特
R
ds(在)
= 175 m
Ω
motorola preferred 设备
情况 369a–13, 样式 2
DPAK
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