MTP33N10E
3
motorola tmos 电源 场效应晶体管 晶体管 设备 数据
典型 电的 特性
5.5
R
ds(在)
, drain–to–source 阻抗
(normalized)
R
ds(在)
, drain–to–source 阻抗 (ohms)
R
ds(在)
, drain–to–source 阻抗 (ohms)
0 2 4 6 8 10
0
30
50
60
90
V
DS
, drain–to–source 电压 (伏特)
图示 1. on–region 特性
I
D
, 流 电流 (放大器)
I
D
, 流 电流 (放大器)
V
GS
, gate–to–source 电压 (伏特)
图示 2. 转移 特性
0 12 24 36 48 60
0.02
0.03
0.05
0.07
0.09
5 17 29 47 59 65
0.037
0.041
0.045
0.049
0.053
I
D
, 流 电流 (放大器)
图示 3. on–resistance 相比 流 电流
和 温度
I
D
, 流 电流 (放大器)
图示 4. on–resistance 相比 流 电流
和 门 电压
–50
0.6
0.8
1.2
1.6
2.0
20 40 60 80 90 100
10
100
1000
10000
T
J
, 接合面 温度 (
°
c)
图示 5. on–resistance 变化 和
温度
V
DS
, drain–to–source 电压 (伏特)
图示 6. drain–to–source 泄漏
电流 相比 电压
I
DSS
, 泄漏 (na)
–25 0 25 50 75 100 125 150
T
J
= 25
°
C V
DS
≥
10 v
T
J
= –55
°
C
25
°
C
100
°
C
T
J
= 100
°
C
25
°
C
– 55
°
C
T
J
= 25
°
C
V
GS
= 0 v
V
GS
= 10 v
80
70
20
40
1 3 5 7 9
10
9 v
5 v
6 v
7 v
8 v
V
GS
= 10 v
0
30
50
60
90
80
70
20
40
10
2.0 3.0 4.0 5.0 6.0 7.02.5 3.5 4.5 6.5 7.5 8.5 9.58.0 9.0 10
0.08
0.06
0.04
6 18 30 42 54 66
0.051
0.047
0.043
0.039
11 23 35 5341
1.0
1.4
1.8
30 50 70
T
J
= 125
°
C
25
°
C
100
°
C
V
GS
= 10 v
15 v
V
GS
= 10 v
I
D
= 16.5 一个
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