MTP33N10E
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motorola tmos 电源 场效应晶体管 晶体管 设备 数据
电源 场效应晶体管 切换
切换行为 是 大多数 容易地 modeled 和 predicted
用 recognizing那 这 电源 场效应晶体管 是 承担 控制.
这lengths of various switching intervals (
∆
t) 一个re deter-
mined用 如何 快 这 场效应晶体管 输入 电容 能 是charged
用 电流 从 这 发生器.
这发行 电容 数据 是 difficult 至 使用 为 calculat-
ingr是e 一个ndfall because drain–gate capacitance varies
非常和 应用 电压. accordingly, 门 承担 数据 是
使用.在 大多数 具体情况, 一个satisfactory 估计 的 平均 输入
电流 (i
g(av)
) 能 是 制造 从 一个 rudimentary 分析 的
这 驱动 电路 所以 那
t = q/i
g(av)
在这 上升 和 下降 时间 间隔 当 切换 一个 resis-
tive 加载, v
GS
仍然是 virtually 常量 在 一个 水平的 知道作
这plateau 电压, v
SGP
. 因此, 上升 和 下降 时间将
是 近似 用 这 下列的:
t
r
= q
2
x r
G
/(v
GG
– v
GSP
)
t
f
= q
2
x r
G
/v
GSP
在哪里
V
GG
= 这 门 驱动 电压, 这个varies 从 零 至 v
GG
R
G
= 这 门 驱动 阻抗
和 q
2
和 v
GSP
是 读 从 这 门 承担 曲线.
在这 turn–on 和 turn–off 延迟 时间, 门 电流 是
不 常量. 这 simplest 计算 使用 适合的 val-
ues从 这电容 曲线 在 一个 标准 等式 为
电压 改变 在 一个 rc 网络. 这 equations 是:
t
d(在)
= r
G
C
iss
在 [v
GG
/(v
GG
– v
GSP
)]
t
d(止)
= r
G
C
iss
在 (v
GG
/v
GSP
)
这电容 (c
iss
)是 读 从 这 电容 曲线 在
一个电压 相应的 至 这 的f–state情况 当 cal-
culating t
d(在)
和 是读 在 一个 电压 相应的 至 这
on–state 当 calculating t
d(止)
.
在高 切换 speeds, parasitic 电路 elements com-
plicate这 分析. 这 电感 的 这 场效应晶体管 源
含铅的,inside 这 包装和 在 这 电路 线路 这个 是
一般至 两个都 这 流 和 门 电流 paths, 生产 一个
电压在 这 源 这个 减少 这 门 驱动 电流.
这 电压 是 决定 用 ldi/dt, 但是 自从 di/dt 是 一个 func-
tion的 流 电流,这 mathematical 解决方案 是 complex.
这MOSFEt output capacitance 一个lso complicates the
mathematics. 和 最终, mosfets 有 finite 内部的 门
阻抗which effectively 一个dds to theresistance of the
驱动源, 但是 这 内部的 阻抗 是 difficult 至 mea-
确信 和, consequently, 是 不 指定.
这resistive 切换 时间 变化 相比 门resis-
tance(图示 9) 显示 如何 典型 切换 效能是
影响用 这parasitic 电路 elements. 如果 这 parasitics
是不 呈现, 这 斜度 的 这 曲线 将 维持 一个
值的 统一体 regardless 的 这 切换 速. 这 电路
使用至 获得 这 数据 是 构成至 降低 一般
电感在 这 流 和 门 电路 循环 和 是 相信
readilyachievable 和 板 挂载 组件.大多数
电源 电子的 负载 是 inductive; 这 数据 在 这 图示 是
带去和 一个 resistive 加载, 这个 approximates 一个 optimally
snubbedinductive 加载. 电源 场效应晶体管s 将是 safely 运算-
eratedinto 一个ninductive load; however, snubbing reduces
切换 losses.
10 0 10 15 20 25
gate–to–source 或者 drain–to–source 电压 (伏特)
c, 电容 (pf)
图示 7. 电容 变化
5000
4500
4000
3500
2500
1500
500
0
V
GS
V
DS
T
J
= 25
°
C
V
DS
= 0 v
V
GS
= 0 v
3000
2000
1000
5 5
C
iss
C
oss
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