MTP33N10E
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motorola tmos 电源 场效应晶体管 晶体管 设备 数据
drain–to–source 二极管 特性
0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.05
0
12
21
27
33
V
SD
, source–to–drain 电压 (伏特)
图示 8. gate–to–source 和 drain–to–source
电压 相比 总的 承担
I
S
, 源 电流 (放大器)
图示 9. resistive 切换 时间
变化 相比 门 阻抗
R
G
, 门 阻抗 (ohms)
1 10 100
1000
10
t, 时间 (ns)
t
r
t
f
t
d(止)
t
d(在)
V
GS
= 0 v
T
J
= 25
°
C
图示 10. 二极管 向前 电压 相比 电流
140
V
GS
, gate–to–source 电压 (伏特)
120
100
80
60
40
20
0
12
8
4
0
Q
G
, 总的 门 承担 (nc)
V
DS
, drain–to–source 电压 (伏特)
14
10
6
2
10 20 30 40 60
T
J
= 25
°
C
I
D
= 33 一个
V
DS
V
GS
50
0
Q1
Q2
QT
Q3
100
30
24
18
6
9
15
3
0.55 0.65 0.75 0.85 0.95 1.0
V
DD
= 50 v
I
D
= 33 一个
V
GS
= 10 v
T
J
= 25
°
C
safe 运行 范围
这向前 片面的 safe 运行 范围 曲线 定义
这maximum simultaneous drain–to–source voltage一个nd
流电流 那 一个 晶体管 能 handle safely 当 它 是 为-
ward片面的. 曲线 是 为基础 在之上 最大 顶峰 junc-
tion温度 和 一个 情况 温度 (t
C
)的 25
°
c. 顶峰
repetitive搏动 电源 限制 是 决定 用 使用 这
热的回馈 数据 在 conjunction 和 这程序
discussed 在 an569, “transient 热的 resistance–general
数据 和 它的 使用.”
切换在 这 的f–state 和 这 on–state 将 tra-
verse任何 加载 线条 提供 neither 评估 顶峰 电流 (i
DM
)
也不 评估 电压 (v
DSS
) 是 超过 和 这 转变 时间
(t
r
,t
f
)做 不 超过 10
µ
s. 在 增加 这 总的 电源 aver-
agedover 一个 complete switching cycle m美国t not exceed
(t
j(最大值)
– t
C
)/(r
θ
JC
).
一个电源 场效应晶体管 designated e–fet 能 是 safely 使用
在 切换 电路 和unclamped inductive 负载. 为 reli-
能 运作,这 贮存 活力 从 电路 电感 dis-
sipated 在 这 晶体管 当 在 avalanche 必须 是 较少 比
这评估 限制 和 调整 为 运行 情况 differing
从那些 指定. 虽然 工业实践 是 至 比率 在
条款的 活力, avalanche 活力能力 是 不 一个 con-
stant.这 活力 比率 减少 non–linearly 和 一个 在-
creaseof peak currentin 一个valanche 一个nd peak junction
温度.
虽然 许多 e–fets 能 承受 这 压力 的 drain–
to–sourceavalanche 在 电流 向上 至 评估 搏动 电流
(i
DM
), 这 活力 比率 是 指定 在 评估 持续的 cur-
rent(i
D
), 在 一致 和 工业 custom.这 活力 rat-
ingmust be der一个ted for temper一个ture 一个s shown in the
accompanying图表 (图示 12). 最大活力 在 cur-
rents在下 评估 持续的 i
D
能 safely 是 assumed 至
equal 这 值 表明.
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