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资料编号:492197
 
资料名称:MTP33N10E
 
文件大小: 240.39K
   
说明
 
介绍:
TMOS POWER FET 33 AMPERES 100 VOLTS RDS(on) = 0.06 OHM
 
 


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MTP33N10E
6
motorola tmos 电源 场效应晶体管 晶体管 设备 数据
safe 运行 范围
T
J
, 开始 接合面 温度 (
°
c)
E
, 单独的 脉冲波 drain–to–source
图示 11. 最大 评估 向前 片面的
safe 运行 范围
0.1 1.0 100
V
DS
, drain–to–source 电压 (伏特)
图示 12. 最大 avalanche 活力 相比
开始 接合面 温度
0.1
10
1000
avalanche 活力 (mj)
I
D
, 流 电流 (放大器)
R
ds(在)
限制
热的 限制
包装 限制
0.01
0
25 50 75 100 125
500
300
200
100
I
D
= 33 一个
400
100
1.0
10 150
t, 时间 (ms)
图示 13. 热的 回馈
r(t), normalized 有效的
瞬时 热的 阻抗
R
θ
JC
(t) = r(t) r
θ
JC
d 曲线 应用 为 电源
脉冲波 train 显示
读 时间 在 t
1
T
j(pk)
– t
C
= p
(pk)
R
θ
JC
(t)
P
(pk)
t
1
t
2
职责 循环, d = t
1
/t
2
图示 14. 二极管 反转 恢复 波形
di/dt
t
rr
t
一个
t
p
I
S
0.25 i
S
时间
I
S
t
b
V
GS
= 20 v
单独的 脉冲波
T
C
= 25
°
C
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
单独的 脉冲波
d = 0.5
50
550
350
250
150
450
1.0e–05
1.0e–04 1.0e–02
0.1
1.0
0.01
1.0e–03
1.0e–01 1.0e+011.0e+00
100
µ
s
1 ms
10 ms
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