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资料编号:521696
 
资料名称:NTD80N02T4
 
文件大小: 82.7K
   
说明
 
介绍:
Power MOSFET
 
 


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NTD80N02
http://onsemi.com
6
包装 维度
D
一个
B
R
V
S
F
L
2 pl
M
0.13 (0.005) T
E
C
U
J
−T−
SEATING
平面
Z
DIM 最小值 最大值 最小值 最大值
MILLIMETERSINCHES
一个
0.235 0.245 5.97 6.22
B
0.250 0.265 6.35 6.73
C
0.086 0.094 2.19 2.38
D
0.025 0.035 0.63 0.88
E
0.018 0.024 0.46 0.61
F
0.033 0.045 0.83 1.14
J
0.018 0.023 0.46 0.58
L
0.090 bsc 2.29 bsc
R
0.180 0.215 4.57 5.45
S
0.025 0.040 0.63 1.01
U
0.020 −−− 0.51 −−−
V
0.035 0.050 0.89 1.27
Z
0.155 −−− 3.93 −−−
注释:
1. dimensioning 和 tolerancing
每 ansi y14.5m, 1982.
2. controlling 维度: inch.
123
4
DPAK
情况 369aa−01
公布 o
样式 2:
管脚 1.
2.
3.
4.
5.80
0.228
2.58
0.101
1.6
0.063
6.20
0.244
3.0
0.118
6.172
0.243
mm
英寸
规模 3:1
*For额外的 信息 在 我们的 pb−free strategy 和 焊接
详细信息, 请 下载 这 在 半导体 焊接 和
挂载 技巧 涉及 手工的, solderrm/d.
焊接 footprint*
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