NTD80N02
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3
10
20
30
40
50
60
70
80
90
100
110
120
130
140
150
160
8 v
5.2 v
0.015
0.01
0.0075
0.0025
0
10
1
100
1000
0.005
0
30
21.51
I
D
, 流 电流 (放大器)
0
V
GS
, gate−to−source 电压 (v)
图示 1. on−region 特性
图示 2. 转移 特性
I
D
, 流 电流 (放大器)
0
0.07
0.05
0.02
0.01
4
0
26810
图示 3. on−resistance 相比
gate−to−source 电压
V
GS
, gate−to−source 电压 (v)
图示 4. on−resistance 相比 流 电流
和 门 电压
I
D
, 流 电流 (一个)
R
ds(在)
, drain−to−source 阻抗 (
Ω
)
图示 5. on−resistance 变化 和
温度
T
J
, 接合面 温度 (
°
c)
图示 6. drain−to−source 泄漏
电流 相比 电压
V
DS
, drain−to−source 电压 (v)
I
DSS
, 泄漏 (na)
50
−50 100750−25 125 150
23 6
55
0
0.01
0.015
41612820
V
DS
, drain−to−source 电压 (v)
10
20
40
2.5 3
V
GS
= 0 v
T
J
= 125
°
C
T
J
= 100
°
C
I
D
= 80 一个
V
DS
= 10 v
V
GS
= 4.5 v
V
GS
= 10 v
T
J
= 25
°
C
I
D
= 10 一个
T
J
= 25
°
C
V
DS
≥
24 v
T
J
= 25
°
C
T
J
= −55
°
C
T
J
= 125
°
C
R
ds(在)
, drain−to−source 阻抗 (
Ω
)
R
ds(在)
, drain−to−source 阻抗
T
J
= 25
°
C
5025
45
0.5 43.5
V
GS
= 3.0 v
4.2 v
3.2 v
3.4 v
3.6 v
3.8 v
4 v
4.4 v
4.6 v
5 v
0.04
0.03
0.06
60 65 70 75 80
60
90
80
100
70
4.8 v
6 v
6.5 v
9 v
0
0.0125
0.005
I
D
= 80 一个
V
DS
= 4.5 v
0.1
0.01
T
J
= 25
°
C
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