NTD80N02T4_集成电路资料查询网

NTD80N02
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0.55 0.60 0.65 0.70 0.75 0.80 0.85 0.90 0.95 1.00
−8 −6 −4 −2
0 2 4 6 8 1012141618202224
V
GS
V
DS
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0
10
2000
c, 电容 (pf)
0
Q
g
, 总的 门 承担 (nc)
图示 7. 电容 变化 图示 8. gate−to−source 和
drain−to−source 电压 相比 总的 承担
V
GS
, gate−to−source 电压 (v)
1
1000
100
1
10 100
图示 9. resistive 切换 时间 变化
相比 门 阻抗
R
G
, 门 阻抗 (
Ω
)
图示 10. 二极管 向前 电压 相比
电流
V
SD
, source−to−drain 电压 (v)
I
S
, 源 电流 (放大器)
t, 时间 (ns)
5000
010
gate−to−source 或者 drain−to−source 电压 (v)
1000
4000
2
I
D
= 1.0 一个
T
J
= 25
°
C
Q
2
Q
1
V
GS
Q
T
V
DD
= 20 v
I
D
= 20 一个
V
GS
= 10 v
t
r
t
d(止)
t
d(在)
t
f
V
GS
= 0 v
T
J
= 25
°
C
V
GS
= 0 v
T
J
= 25
°
C
C
rss
C
iss
C
oss
20 30 40 50
V
D
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−V
DS
, drain−to−source 电压 (v)
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NTD80N02 http://onsemi.com 4 10 20 30 40 50 60 70 80 0.55 0.60 0.65 0.70 0.75 0.80 0.85 0.90 0.95 1.00 −8 −6 −4 −2 0 2 4 6 8 1012141618202224 V GS V DS 4 8 6 0 10 2000 c, 电容 (pf) 0 Q g , 总的门承担 (nc) 图示 7. 电容变化图示 8. gate−to−source 和 drain−to−source 电压相比总的承担 V GS , gate−to−source 电压 (v) 1 1000 100 1 10 100 图示 9. resistive 切换时间变化相比门阻抗 R G , 门阻抗 ( Ω ) 图示 10. 二极管向前电压相比电流 V SD , source−to−drain 电压 (v) I S , 源电流 (放大器) t, 时间 (ns) 5000 010 gate−to−source 或者 drain−to−source 电压 (v) 1000 4000 2 I D = 1.0 一个 T J = 25 ° C Q 2 Q 1 V GS Q T V DD = 20 v I D = 20 一个 V GS = 10 v t r t d(止) t d(在) t f V GS = 0 v T J = 25 ° C V GS = 0 v T J = 25 ° C C rss C iss C oss 20 30 40 50 V D 8 24 16 0 28 4 −V DS , drain−to−source 电压 (v) 12 20 3000 10

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