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资料编号:521696
 
资料名称:NTD80N02T4
 
文件大小: 82.7K
   
说明
 
介绍:
Power MOSFET
 
 


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NTD80N02
http://onsemi.com
2
电的 特性
(t
J
= 25
°
c 除非 否则 指出)
典型的
标识 最小值 Typ 最大值 单位
止 特性
drain−to−source 损坏 电压 (便条 3)
(v
GS
= 0 vdc, i
D
= 250
模数转换器)
积极的 温度 系数
V
(br)dss
24
27
25
Vdc
mv/
°
C
零 门 电压 流 电流
(v
GS
= 0 vdc, v
DS
= 24 vdc)
(v
GS
= 0 vdc, v
DS
= 24 vdc, t
J
= 125
°
c)
I
DSS
1.0
10
模数转换器
gate−body 泄漏 电流 (v
GS
=
±
20 vdc, v
DS
= 0 vdc) I
GSS
±
100 nAdc
在 特性
(便条 3)
门 门槛 电压 (便条 3)
(v
DS
= v
GS
, i
D
= 250
模数转换器)
负的 门槛 温度 系数
V
gs(th)
1.0
1.9
−3.8
3.0
Vdc
mv/
°
C
静态的 drain−to−source on−resistance (便条 3)
(v
GS
= 10 vdc, i
D
= 80 模数转换器)
(v
GS
= 4.5 vdc, i
D
= 40 模数转换器)
(v
GS
= 10 vdc, i
D
= 20 模数转换器)
(v
GS
= 4.5 vdc, i
D
= 20 模数转换器)
R
ds(在)
5.0
7.5
5.0
7.5
5.8
9.0
5.8
9.0
m
向前 跨导 (v
DS
= 15 vdc, i
D
= 10 模数转换器) (便条 3) g
FS
20 Mhos
动态 特性
输入 电容
(v
DS
= 20 vdc,
C
iss
2250 2600 pF
输出 电容
(v
DS
= 20vdc,
V
GS
= 0 v,
C
oss
900 1100
转移 电容
V
GS
0v,
f = 1.0 mhz)
C
rss
400 525
切换 特性
(便条 4)
turn−on 延迟 时间
(v
GS
=45Vdc
t
d(在)
17 30 ns
上升 时间
(v
GS
= 4.5 vdc,
V
DD
= 20 vdc,
t
r
67 125
turn−off 延迟 时间
V
DD
=20 vdc,
I
D
= 20 模数转换器,
R 25
)
t
d(止)
28 45
下降 时间
D
R
G
= 2.5
)
t
f
40 75
门 承担
(v
GS
= 4.5 vdc,
Q
T
30 42 nC
GaeC age
(v
GS
=4.5vdc,
I
D
= 20 模数转换器,
Q1 7.0 12
I
D
20模数转换器,
V
DS
= 20 vdc) (便条 3)
Q2 18 28
source−drain 二极管 特性
向前 on−voltage
(i
S
= 20 模数转换器, v
GS
= 0 vdc) (便条 3)
(i
S
= 40 模数转换器, v
GS
= 0 vdc)
(i
S
= 20 模数转换器, v
GS
= 0 vdc, t
J
= 150
°
c)
V
SD
0.92
1.05
0.70
1.2
Vdc
反转 恢复 时间
(i 20 Ad V 0Vd
t
rr
38 52
ns
e e se eco e y e
(i
S
= 20 模数转换器, v
GS
= 0 vdc,
dI
S
/dt = 100 一个/
s) (便条 3)
t
一个
20
s
dI
S
/dt = 100一个/
s)(便条3)
t
b
18
反转 恢复 贮存 承担 Q
rr
0.038
C
3. 脉冲波 测试: 脉冲波 宽度
300
s, 职责 循环
2%.
4. 切换 特性 是 独立 的 运行 接合面 温度.
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