2001 十一月 07 2
飞利浦 半导体 产品 规格
15 v 低 v
CEsat
npn 翻倍 晶体管
PBSS2515VS
特性
•
300 mw 总的 电源 消耗
•
非常 小 1.6 x 1.2 mm 过激 薄的 包装
•
极好的 coplanarity 预定的 至 笔直地 leads
•
低 集电级-发射级 饱和 电压
•
高 电流 能力
•
改进 热的 behaviour 预定的 至 flat 含铅的
•
替代 二 sc-75/sc-89 packaged 低 v
CEsat
晶体管 在 一样 pcb 范围
•
减少 必需的 pcb 范围
•
减少 挑选 和 放置 costs.
产品
•
一般 目的 切换 和 噪声抑制
•
低 频率 驱动器 电路
•
lcd backlighting
•
音频的 频率 一般 目的 放大器 产品
•
电池 驱动 设备 (mobile phones, video
cameras 和 hand-使保持 设备).
描述
npn 低 v
CEsat
翻倍 晶体管 在 一个 sot666 塑料
包装.
pnp complement: pbss3515vs.
标记
类型 号码 标记 代号
PBSS2515VS N9
固定
管脚 描述
1, 4 发射级 tr1; tr2
2, 5 根基 tr1; tr2
6, 3 集电级 tr1; tr2
handbook, halfpage
MAM447
132
TR1
TR2
6
4
5
123
46
5
顶 视图
图.1 simplified 外形 (sot666) 和 标识.
快 涉及 数据
标识 参数 最大值 单位
V
CEO
集电级-发射级 电压 15 V
I
CM
顶峰 集电级 电流 1 一个
R
CEsat
相等的 在-阻抗 <500 m
Ω
: 点此下载
