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2001 十一月 07 4
飞利浦 半导体 产品 规格
15 v 低 v
CEsat
npn 翻倍 晶体管
PBSS2515VS
特性
T
amb
=25
°
c 除非 否则 speciﬁed.
便条
1. 脉冲波 测试: t
p
≤
300
µ
s;
δ≤
0.02.
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
每 晶体管 除非 否则 speciﬁed
I
CBO
集电级-根基 截-止 电流 V
CB
= 15 v; i
E
=0
−−
100 nA
V
CB
= 15 v; i
E
= 0; t
j
= 150
°
C
−−
50
µ
一个
I
EBO
发射级-根基 截-止 电流 V
EB
=5v; i
C
=0
−−
100 nA
h
FE
直流 电流 增益 V
CE
=2v; i
C
=10mA 200
−−
V
CE
=2v; i
C
= 100 毫安; 便条 1 150
−−
V
CE
=2v; i
C
= 500 毫安; 便条 1 90
−−
V
CEsat
集电级-发射级 饱和
电压
I
C
= 10 毫安; i
B
= 0.5 毫安
−−
25 mV
I
C
= 200 毫安; i
B
=10mA
−−
150 mV
I
C
= 500 毫安; i
B
= 50 毫安; 便条 1
−−
250 mV
R
CEsat
相等的 在-阻抗 I
C
= 500 毫安; i
B
= 50 毫安; 便条 1
−
300 <500 m
Ω
V
BEsat
根基-发射级 饱和 电压 I
C
= 500 毫安; i
B
= 50 毫安; 便条 1
−−
1.1 V
V
是
根基-发射级 转变-在 电压 V
CE
=2v; i
C
= 100 毫安; 便条 1
−−
0.9 V
f
T
转变 频率 I
C
= 100 毫安; v
CE
= 5 v; f = 100 MHz 250 420
−
MHz
C
c
集电级 电容 V
CB
= 10 v; i
E
=I
e
= 0; f = 1MHz
−
4.4 6 pF

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2001 十一月 07 4 飞利浦半导体产品规格 15 v 低 v CEsat npn 翻倍晶体管 PBSS2515VS 特性 T amb =25 ° c 除非否则 speciﬁed. 便条 1. 脉冲波测试: t p ≤ 300 µ s; δ≤ 0.02. 标识参数情况最小值典型值最大值单位每晶体管除非否则 speciﬁed I CBO 集电级-根基截-止电流 V CB = 15 v; i E =0 −− 100 nA V CB = 15 v; i E = 0; t j = 150 ° C −− 50 µ 一个 I EBO 发射级-根基截-止电流 V EB =5v; i C =0 −− 100 nA h FE 直流电流增益 V CE =2v; i C =10mA 200 −− V CE =2v; i C = 100 毫安; 便条 1 150 −− V CE =2v; i C = 500 毫安; 便条 1 90 −− V CEsat 集电级-发射级饱和电压 I C = 10 毫安; i B = 0.5 毫安 −− 25 mV I C = 200 毫安; i B =10mA −− 150 mV I C = 500 毫安; i B = 50 毫安; 便条 1 −− 250 mV R CEsat 相等的在-阻抗 I C = 500 毫安; i B = 50 毫安; 便条 1 − 300 <500 m Ω V BEsat 根基-发射级饱和电压 I C = 500 毫安; i B = 50 毫安; 便条 1 −− 1.1 V V 是根基-发射级转变-在电压 V CE =2v; i C = 100 毫安; 便条 1 −− 0.9 V f T 转变频率 I C = 100 毫安; v CE = 5 v; f = 100 MHz 250 420 − MHz C c 集电级电容 V CB = 10 v; i E =I e = 0; f = 1MHz − 4.4 6 pF

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