2001 十一月 07 3
飞利浦 半导体 产品 规格
15 v 低 v
CEsat
npn 翻倍 晶体管
PBSS2515VS
限制的 值
在 一致 和 这 绝对 最大 比率 系统 (iec 60134).
便条
1. 晶体管 挂载 在 一个 fr4 打印-电路 板.
热的 特性
注释
1. 晶体管 挂载 在 一个 fr4 打印-电路 板.
2. 这 仅有的 推荐 焊接 方法 是 软熔焊接 焊接.
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
每 晶体管 除非 否则 specified
V
CBO
集电级-根基 电压 打开 发射级
−
15 V
V
CEO
集电级-发射级 电压 打开 根基
−
15 V
V
EBO
发射级-根基 电压 打开 集电级
−
6V
I
C
集电级 电流 (直流)
−
500 毫安
I
CM
顶峰 集电级 电流
−
1A
I
BM
顶峰 根基 电流
−
100 毫安
P
tot
总的 电源 消耗 T
amb
≤
25
°
c; 便条 1
−
200 mW
T
stg
存储 温度
−
65 +150
°
C
T
j
接合面 温度
−
150
°
C
T
amb
运行 包围的 温度 65 +150
°
C
每 设备
P
tot
总的 电源 消耗 T
amb
≤
25
°
c; 便条 1
−
300 mW
标识 参数 情况 值 单位
R
th j-一个
热的 阻抗 从 接合面 至 包围的 注释 1 和 2 416 k/w