2001 十一月 07 5
飞利浦 半导体 产品 规格
15 v 低 v
CEsat
npn 翻倍 晶体管
PBSS2515VS
handbook, halfpage
0
400
600
200
MLD643
10
−
1
110
I
C
(毫安)
h
FE
10
2
10
3
(2)
(1)
(3)
图.2 直流 电流 增益 作 一个 函数 的 集电级
电流; 典型 值.
V
CE
=2v.
(1) T
amb
= 150
°
c.
(2) T
amb
=25
°
c.
(3) T
amb
=
−
55
°
c.
handbook, halfpage
200
1200
400
600
800
1000
MLD645
110
−
1
I
C
(毫安)
V
是
(mv)
10 10
2
10
3
(1)
(3)
(2)
图.3 根基-发射级 电压 作 一个 函数 的
集电级 电流; 典型 值.
V
CE
=2v.
(1) T
amb
=
−
55
°
c.
(2) T
amb
=25
°
c.
(3) T
amb
= 150
°
c.
handbook, halfpage
10
3
10
2
10
1
MLD647
10
−
1
110
I
C
(毫安)
V
CEsat
(mv)
10
2
10
3
(1)
(3)
(2)
图.4 集电级-发射级 饱和 电压 作 一个
函数 的 集电级 电流; 典型 值.
I
C
/i
B
= 20.
(1) T
amb
= 150
°
c.
(2) T
amb
=25
°
c.
(3) T
amb
=
−
55
°
c.
handbook, halfpage
200
1200
400
600
800
1000
MLD646
110
−
1
I
C
(毫安)
V
BEsat
(mv)
10 10
2
10
3
(2)
(3)
(1)
图.5 根基-发射级 饱和 电压 作 一个
函数 的 集电级 电流; 典型 值.
I
C
/i
B
= 20.
(1) T
amb
= 150
°
c.
(2) T
amb
=25
°
c.
(3) T
amb
=
−
55
°
c.