飞利浦 半导体
PH3830L
n-频道 trenchmos™ 逻辑 水平的 场效应晶体管
产品 数据 rev. 03 — 2 march 2004 3 的 12
9397 750 12945
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V
GS
≥
10 V
图 1. normalized 总的 电源 消耗 作 一个
函数 的 挂载 根基 温度.
图 2. normalized 持续的 流 电流 作 一个
函数 的 挂载 根基 温度.
T
mb
=25
°
c; i
DM
是 单独的 脉冲波; v
GS
=10V
图 3. safe 运行 范围; 持续的 和 顶峰 流 电流 作 一个 函数 的 流-源 电压.
03aa15
0
40
80
120
0 50 100 150 200
T
mb
(
°
c)
P
der
(%)
03aa23
0
40
80
120
0 50 100 150 200
T
mb
(
°
c)
I
der
(%)
P
der
P
tot
P
tot 25 C
°
()
-----------------------
100
%
×
=
I
der
I
D
I
D25C
°
()
-------------------
100
%
×
=
003aaa377
10
-1
1
10
10
2
10
3
10
-1
1 10 10
2
V
DS
(v)
I
D
(一个)
直流
100 ms
10 ms
1 ms
100
µ
s
限制 r
DSon
= v
DS
/ i
D
t
p
= 10
µ
s
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