飞利浦 半导体
PH5330
n-频道 增强 模式 field-效应 晶体管
产品 数据 rev. 02 — 18 july 2003 2 的 12
9397 750 10951
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5. 快 涉及 数据
6. 限制的 值
表格 2: 快 涉及 数据
标识 参数 情况 Typ 最大值 单位
V
DS
流-源 电压 (直流) T
j
=25
°
C - 30 V
I
D
流 电流 (直流) T
mb
=25
°
c; v
GS
= 10 V - 50 一个
P
tot
总的 电源 消耗 T
mb
=25
°
C - 39 W
T
j
接合面 温度 - 150
°
C
R
DSon
流-源 在-状态 阻抗 V
GS
= 10 v; i
D
= 20 一个; t
j
=25
°
C 4.6 5.3 m
Ω
V
GS
= 4.5 v; i
D
= 20 一个; t
j
=25
°
C 8.0 10 m
Ω
表格 3: 限制的 值
在 一致 和 这 绝对 最大 比率 系统 (iec 60134).
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
V
DS
流-源 电压 (直流) T
j
=25to150
°
C - 30 V
V
GS
门-源 电压 (直流) -
±
20 V
I
D
流 电流 (直流) T
mb
=25
°
c; v
GS
= 10 v; 图示 2和 3 -50a
I
DM
顶峰 流 电流 T
mb
=25
°
c; 搏动; t
p
≤
10
µ
s; 图示 3 - 160 一个
P
tot
总的 电源 消耗 T
mb
=25
°
c; 图示 1 -39w
T
stg
存储 温度
−
55 +150
°
C
T
j
运行 接合面 温度
−
55 +150
°
C
源-流 二极管
I
SM
顶峰 源 (二极管 向前) 电流 T
mb
=25
°
c; 搏动; t
p
≤
10
µ
s - 50 一个