飞利浦 半导体 产品 规格
n-频道 trenchmos
晶体管 php21n06lt, phb21n06lt
逻辑 水平的 场效应晶体管 PHD21N06LT
avalanche 活力 限制的 值
限制的 值 在 一致 和 这 绝对 最大 系统 (iec 134)
标识 参数 情况 最小值 最大值 单位
E
作
非-repetitive avalanche unclamped inductive 加载, i
作
= 9.7 一个; - 34 mJ
活力 t
p
= 100
µ
s; t
j
较早的 至 avalanche = 25˚c;
V
DD
≤
25 v; r
GS
= 50
Ω
; v
GS
= 5 v; 谈及 至
图:15
I
作
顶峰 非-repetitive - 19 一个
avalanche 电流
热的 抵制
标识 参数 情况 典型值 最大值 单位
R
th j-mb
热的 阻抗 接合面 - 2.7 k/w
至 挂载 根基
R
th j-一个
热的 阻抗 接合面 sot78 包装, 在 自由 空气 60 - k/w
至 包围的 sot428 和 sot404 包装, pcb 50 - k/w
挂载, 最小 footprint
电的 特性
T
j
= 25˚c 除非 否则 指定
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
(br)dss
流-源 损坏 V
GS
= 0 v; i
D
= 0.25 毫安; 55 - - V
电压 T
j
= -55˚c 50 - - V
V
gs(至)
门 门槛 电压 V
DS
= v
GS
; i
D
= 1 毫安 1.0 1.5 2.0 V
T
j
= 175˚c 0.5 - - V
T
j
= -55˚c - - 2.3 V
R
ds(在)
流-源 在-状态 V
GS
= 10 v; i
D
= 10 一个 - 55 70 m
Ω
阻抗 V
GS
= 5 v; i
D
= 10 一个 - 60 75 m
Ω
T
j
= 175˚c - - 158 m
Ω
g
fs
向前 跨导 V
DS
= 25 v; i
D
= 10 一个 5 13 - S
I
GSS
门 源 泄漏 电流 V
GS
=
±
5 v; v
DS
= 0 v - 10 100 nA
I
DSS
零 门 电压 流 V
DS
= 55 v; v
GS
= 0 v; - 0.05 10
µ
一个
电流 T
j
= 175˚c - - 500
µ
一个
Q
g(tot)
总的 门 承担 I
D
= 20 一个; v
DD
= 44 v; v
GS
= 5 v - 9.4 - nC
Q
gs
门-源 承担 - 2.2 - nC
Q
gd
门-流 (miller) 承担 - 5.4 - nC
t
d 在
转变-在 延迟 时间 V
DD
= 30 v; r
D
= 1.2
Ω
;-715ns
t
r
转变-在 上升 时间 R
G
= 10
Ω
; v
GS
= 5 v - 88 120 ns
t
d 止
转变-止 延迟 时间 resistive 加载 - 25 40 ns
t
f
转变-止 下降 时间 - 25 45 ns
L
d
内部的 流 电感 量过的 从 tab 至 centre 的 消逝 - 3.5 - nH
L
d
内部的 流 电感 量过的 从 流 含铅的 至 centre 的 消逝 - 4.5 - nH
(sot78 包装 仅有的)
L
s
内部的 源 电感 量过的 从 源 含铅的 至 源 - 7.5 - nH
bond 垫子
C
iss
输入 电容 V
GS
= 0 v; v
DS
= 25 v; f = 1 mhz - 466 650 pF
C
oss
输出 电容 - 95 135 pF
C
rss
反馈 电容 - 71 85 pF
8月 1999 2 rev 1.500
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