飞利浦 半导体 目标 规格
powermos 晶体管 PHT1N60R
热的 抵制
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
R
th j-sp
热的 阻抗 接合面 至 - - 15 k/w
焊盘 要点
R
th j-一个
热的 阻抗 接合面 至 pcb 挂载; 最小 footprint - 156 - k/w
包围的 pcb 挂载; 垫子 范围 作 在 图:2 - 70 - k/w
静态的 特性
T
mb
= 25 ˚c 除非 否则 指定
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
V
(br)dss
流-源 损坏 volt- V
GS
= 0 v; i
D
= 0.25 毫安 600 - - V
age
V
gs(至)
门 门槛 电压 V
DS
= v
GS
; i
D
= 0.25 毫安 2.0 3.0 4.0 V
I
DSS
流-源 泄漏 电流 V
DS
= 500 v; v
GS
= 0 v; t
j
= 25 ˚c - 1 100
µ
一个
V
DS
= 400 v; v
GS
= 0 v; t
j
= 125 ˚c - 0.1 1.0 毫安
I
GSS
门-源 泄漏 电流 V
GS
=
±
35 v; v
DS
= 0 v - 4 100 nA
R
ds(在)
流-源 在-状态 resis- V
GS
= 10 v; i
D
= 1 一个 - - 16.0
Ω
tance
V
SD
源-流 二极管 向前 I
F
= 2 一个 ;v
GS
= 0 v - 0.85 1.2 V
电压
动态 特性
T
mb
= 25 ˚c 除非 否则 指定
标识 参数 情况 最小值 典型值 最大值 单位
g
fs
向前 跨导 V
DS
= 15 v; i
D
= 1 一个 0.5 0.8 - S
C
iss
输入 电容 V
GS
= 0 v; v
DS
= 25 v; f = 1 mhz - 75 100 pF
C
oss
输出 电容 - 10 15 pF
C
rss
反馈 电容 - 5 10 pF
Q
g(tot)
总的 门 承担 V
GS
= 10 v; i
D
= 2 一个; v
DS
= 400 v - 5 - nC
Q
gs
门 至 源 承担 - .5 - nC
Q
gd
门 至 流 (miller) 承担 - 3 - nC
t
d 在
转变-在 延迟 时间 V
DD
= 30 v; i
D
= 2 一个; - 5 10 ns
t
r
转变-在 上升 时间 V
GS
= 10 v; r
GS
= 50
Ω
; - 15 20 ns
t
d 止
转变-止 延迟 时间 R
GEN
= 50
Ω
- 1520ns
t
f
转变-止 下降 时间 - 7 15 ns
t
rr
源-流 二极管 反转 I
F
= 2 一个; -di
F
/dt = 100 一个/
µ
s; - 150 - ns
恢复 时间
Q
rr
源-流 二极管 反转 V
GS
= 0 v; v
R
= 100 v - 1.5 -
µ
C
恢复 承担
二月 1998 2 rev 1.000
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