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飞利浦 半导体 目标 规格
powermos 晶体管 PHT1N60R
机械的 数据
维度 在 mm
网 mass: 0.11 g
图.3.  sot223 表面 挂载 包装.
注释
1. 注意到 这  一般 处理 预防措施 为 静电的-释放 敏感的 设备 (esds) 至 阻止 dam-
age 至 mos 门 oxide.
2. 谈及 至 表面 挂载 说明 为 sot223 封套.
3. 环氧的 满足 ul94 v0 在 1/8".
6.7
6.3
3.1
2.9
4
1
23
2.3
1.05
0.85
0.80
0.60
4.6
3.7
3.3
7.3
6.7
B
一个
0.10
0.02
13
16
最大值
1.8
最大值
10
最大值
0.32
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M
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二月 1998 4 rev 1.000

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飞利浦半导体目标规格 powermos 晶体管 PHT1N60R 机械的数据维度在 mm 网 mass: 0.11 g 图.3. sot223 表面挂载包装. 注释 1. 注意到这一般处理预防措施为静电的-释放敏感的设备 (esds) 至阻止 dam- age 至 mos 门 oxide. 2. 谈及至表面挂载说明为 sot223 封套. 3. 环氧的满足 ul94 v0 在 1/8". 6.7 6.3 3.1 2.9 4 1 23 2.3 1.05 0.85 0.80 0.60 4.6 3.7 3.3 7.3 6.7 B 一个 0.10 0.02 13 16 最大值 1.8 最大值 10 最大值 0.32 0.24 (4x) B M 0.1 am0.2 二月 1998 4 rev 1.000

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