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资料编号：547898
 
资料名称：PHT1N60R
 
文件大小： 30.34K
   
说明：
 
介绍:
PowerMOS transistor
 
 


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飞利浦 半导体 目标 规格
powermos 晶体管 PHT1N60R
挂载 说明
维度 在 mm.
图.1. 焊接 模式 为 表面 挂载 sot223.
打印 电路 板
维度 在 mm.
图.2. pcb 为 热的 阻抗 和 电源 比率 为 sot223.
pcb: fr4 环氧的 glass (1.6 mm 厚), 铜 laminate (35
µ
m 厚).
3.8
最小值
6.3
2.3
4.6
1.5
最小值
1.5
最小值
1.5
最小值
(3x)
36
60
9
10
4.6
18
4.5
7
15
50
二月 1998 3 rev 1.000
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